中古 VEECO GENxplor #293648270 を販売中

MBE （Molecular beam epitaxy）は、半導体デバイスの製造に使用される真空蒸着技術の一種です。MBEは、密閉された真空チャンバーを使用して、原子や分子の形で、異なる基質に薄膜材料を堆積させることができます。VARIAN/VEECO GENxplorは、特に高真空、低温原子層エピタキシー（ALE）システムで、高性能と再現性を特長とした材料の堆積を可能にします。VEECO GENxplorは、VEECO特許取得済みの高純度、低酸素炉の2つ、または同じ基板上に2つの異なる温度ゾーンを持つ単一のデュアルゾーン炉を含む2つのゾーンのシステムです。2ゾーン炉を使用することで、2つの薄膜材料を異なる温度で正確な温度制御で堆積させることができます。VARIAN GENxplorには、3つの分子ビームバルブと2つの噴出セルが装備されており、より多くの金属由来化学物質を提供します。分子ビームは、従来の金属-有機蒸着プロセスの130〜600倍の精度であると言われている成長チャンバーに非常に精密な金属蒸気を注入します。さらに、GENxplorは、高度なウェーハポジションモジュールを備えた優れたウェーハの均一性を提供します。これは、1 µm以内に精密です。これにより、蒸着中のソースと基板の両方の温度をより高いレベルで制御することができ、ウェーハ全体にわたって高品質の薄膜層を成長させることができます。最後に、VARIAN/VEECO GENxplorには、VARIAN GRIPパターン成長ソフトウェアが同梱されており、最先端のナノスケールメモリデバイスやその他の高性能デバイスを製造するための正確で繰り返し可能なプロセスを提供します。このソフトウェアは、分子ビームバルブとエフユージョンセルを制御することで、蒸着プロセスを自動化し、正確で信頼性の高い蒸着を保証します。結論として、VEECO GENxplorは、従来のMBEシステムと比較して高い精度と性能を提供する高度なMBEシステムであり、薄膜蒸着の完全な精度と制御を目指すデバイスメーカーにとって貴重なツールとなります。