中古 VEECO Gen II #9107591 を販売中

製造業者
VEECO
モデル
Gen II
ID: 9107591
MBE System Chamber with (8) source flange size, 2.75” MBE Components: RHEED System Sample manipulator with flux monitor QMS Head Glove box Pumps: Cryo pump Lon pump Turbo pump (2) Ion pumps: Main chamber (600 l/m) Buffer chamber (150 l/m) with (2) power supplies (2) Ti-Sublimation pumps With power supplies in the base of the main chamber Manipulator, 2" With servo motors for rotation Position setting Control unit Heater power supply Thermo-couple controller Beam flux Monitor and controller (2) Ion gauges: With (2) power supplies and controllers Main chamber Load lock Load lock for 6 wafers With heater for pre bake out with its power supply Temperature controller Electrical distribution panel Bake out panels with electrical connections Eight shutters with their control units Utility distribution box for water, air, N2 QMS, Power supply & display unit Operating system and computer (6) Sample holders Baffles head for main chamber turbo pump Gaskets silver coated copper gaskets Mixing manifold With (2) leak valves and tubing for gas interceptor Sulfur automatic valved cracker with: (2) Temperature zones 100 CC Quartz crucible (2) Power supplies (2) Temperature controllers Servo motor and controller and cable Oxygen plasma source with: RF Power supply Matching unit Leak valve Water flow meter and filter High temperature effusion cell with: Temperature zone up to: 2000°C 10 CC Crucible Power supply & temperature controller Low temperature effusion cell with: (2) Temperature zones (Base and tip) 25 CC PBN Crucible (2) Power supplies (2) Temperature controllers Gas injector with: Single heater Power supply Temperature controller and display Mixed manifold with two leak valves and tubing Options: QCM Integrated With machine for film thickness monitor RHEED System With 6" phosphorous screen and detector and camera E-beam gun with power supply and control unit.
VARIAN/VEECO GEN II Molecular Beam Epitaxy (MBE)装置は、多種多様な半導体材料のドーピングと蒸着のための高度なマルチユーザー蒸着システムです。この最先端のMBEユニットは、高い再現性を持つ高品質の層を実現するために、堆積環境を正確に制御することができます。この機械は、ヒ素ガリウムやヒ素インジウムガリウムなどの半導体材料の高品質で均一な層の堆積を可能にします。蒸着プロセスは真空チャンバーで行われ、堆積する基板を加熱ホルダーに置きます。シーザーによって製造された3つのタイプのeffusive細胞は用具と使用されます;ヒ素とガリウムとインジウムの細胞です。この3つのセルを組み合わせることで、複雑で特殊な薄膜構造を柔軟に作成できます。MBEアセットのベース圧力は4-6 x 10-7 mbarで維持され、真空チャンバに挿入する前の圧力をさらに低減するために別のロードロックモデルが採用されています。さらに、この装置には熱酸化ユニット、オゾン発生器、2本の窒素ラインが含まれており、表面処理と成長の強化を支援しています。基板ホルダーは電気的に加熱され、一連の熱電対で温度制御されているため、サンプルのすべての領域で均一な温度が得られ、薄膜蒸着を精密に制御できます。また、VEECO GEN II装置には最先端のソフトウェアパッケージが装備されており、ソースの放出と蒸着プロセスを制御するためのさまざまな便利な機能を提供します。ソフトウェアには、成長プロセスのシミュレーション、レイヤー構造の定義、さまざまなパラメータ計算を実行するための包括的なツールが含まれています。強力なパラメトリック最適化機能を使用して、薄膜構造の詳細なシミュレーションを開発し、サンプルのパフォーマンスを最大化することもできます。また、ユーザーはグラフィカルユーザーインターフェイスを作成して、実験のセットアップと監視に便利な方法を提供することもできます。VARIAN GEN II MBEシステムは、幅広い科学的および産業的要件に適合するように設計されており、ユーザーは研究アプリケーションを次のレベルに引き上げることができます。この高度なユニットは、高品質の結果を生成することができ、複雑な薄膜構造を作成するために、原子によって異なる材料を割り当てる柔軟性を提供します。
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