中古 VARIAN / VEECO GEN II #9257237 を販売中

VARIAN/VEECO GEN IIは、超伝導体、半導体、強磁性体などの低温デバイスの成長を目的とした分子ビームエピタキシー（MBE）装置です。UHV（超高真空）チャンバー、一連の蒸着源、および一連の質量分析装置で構成されています。UHVチャンバーは、2 x 10^-7 Torr未満の圧力で室内環境を維持するように設計されており、従来の実験室よりもはるかに低くなっています。これは、低圧を維持するためにポンプと連続ガス導入の組み合わせに依存しながら、チャンバー内の粒子状物質の完全な欠如を維持することによって行われます。チャンバー内のパーティクルカウントは、制御システムによって監視および管理されます。チャンバー内の堆積源は、GaAs、 InP、 Si、 Geなどの材料の成長を制御することができます。ソースは、セットポイント温度と抵抗蒸気源を保持するためにヒーターに対して保持された複数の水晶ボート（固体ソース用）で構成されています。ボートはx、 y、 z平面で調整可能で、層の厚さを微調整できます。ボートの温度は200°C以下に目盛りが付いている熱電対の単位を使用して正確に制御されます。マスアナライザ装置は、残留ガス分析やチャンバー内部のソースの直接フラックス測定に使用されます。これは、異なるポンプ式サイドポートを介してUHVチャンバに直接インタフェースするさまざまなイオン化源で構成されています。このツールは、O2、 H2O、空気などの種を検出することができます。UHVチャンバー、蒸着源、マスアナライザはすべてコンピュータのオペレータステーションに接続されています。このステーションにはデータ収集アセットと制御インターフェイスがあり、堆積プロセス全体の自動化を可能にします。このモデルは、7つのレシピ制御レシピと幅広いカスタマイズ可能なパラメータを備えているため、多種多様な基材やデバイスの種類に適しています。VEECO GEN IIは先進的なMBE装置であり、低温デバイス分野の多くの研究者の選択肢となっています。UHV要件、蒸着源、ガス分析機能を強力に組み合わせることで、幅広いデバイス関連実験が可能になり、研究やデバイス製造にとって貴重なツールとなります。