中古 VARIAN / VEECO GEN II #9225851 を販売中

この商品は既に販売済みのようです。下記の同じようなプロダクトを点検するか、または私達に連絡すれば私達のベテランのチームはあなたのためのそれを見つけます。

ID: 9225851
MBE System.
VARIAN/VEECO GEN IIは、高品質の薄膜半導体材料を製造するための信頼性の高い方法を提供する分子ビームエピタキシー装置です。このシステムは、反応が起こる真空チャンバーと、独立して相互に関連した一連のコンポーネントで構成されています。チャンバーには、基板チャック、レーザー加熱源、シャッターメカニズム、ガス制御ユニット、蒸着ヘッド、および急速な焼入れ装置が含まれています。基板チャックを介して、シリコンウェーハ、ガラスプレート、またはガリウムヒ素ウェーハなどの基板サンプルを確保することができます。レーザー加熱源は、高度なエピタキシャル成長のための十分な熱を生成し、最大1000°Cの所望の温度に調整することができます。シャッターメカニズムにより、リアクタントビームを正確に制御し、レーザー加熱源と連動させて、基板全体に熱を均一に分散させることができます。ガスコントロールマシンは独立したガスボックスを使用しており、低真空圧での蒸着が可能です。これにより、汚染を最小限に抑え、表面粗さを最小限に抑えた効果的なMBEプロセスが保証されます。沈着ヘッドは、エピタキシャルフィルムのほぼすべての所望の組成を提供するために調整することができます。製造された層は、ユーザーのニーズに応じて、ナノメートルからマイクロメートルまでさまざまです。急速な癒やす装置は不必要な相互作用を避け、均一なフィルムの沈殿を保障するためにフィルムの沈殿を、速くそして正確に停止するシャッターのように働きます。VEECO GEN IIは、高品質の薄膜半導体材料を製造するための信頼性と正確な方法を提供します。さらに、このツールは、エピタキシャルの高度な成長に必要なさまざまな厚さ、組成、および表面粗さの層を生成することができます。要するに、VARIAN GEN IIは、薄膜半導体材料を製造する際に精度と信頼性を必要とするユーザーにとって理想的なソリューションです。
まだレビューはありません