中古 VARIAN / INTEVAC GEN II #9168496 を販売中

VARIAN/INTEVAC GEN II Molecular Beam Epitaxy （MBE）装置は、正確に定義された特性を持つ薄膜の堆積のための強力で汎用性の高いツールです。これは、高度なデバイス用途のための独自のナノメートルスケールの結晶構造を生成するように設計されています。VARIAN GEN II MBEシステムは、分子ビーム技術を利用し、伝統的な化合物やエキゾチックな化合物を含むさまざまな材料の成長のためのガス源とビームエネルギーの広い範囲を提供しています。INTEVAC GEN II MBEは最大6つのソースに対応するように設計されており、そのうち4つはDCマグネトロンスパッタ源です。各マグネトロン源には、金属、絶縁体、半導体化合物など様々な材料を搭載することができます。さらに、このユニットには2つのビーム型のソースがあり、リン化インジウムなどのよりエキゾチックな材料に適しています。また、各ソースを50〜150 eVの幅広いエネルギー範囲で動作させることができ、蒸着速度と材料品質を最適に制御できます。GEN II MBE機械に12インチの直径の基質まで収容できる速く、適用範囲が広い基質の輸送用具があります。さらに、このアセットは、大面積の堆積アプリケーションのために最大4つの3インチ直径の基板を保持することができます。VARIAN/INTEVAC GEN II MBEは、高度なユーザーインターフェイスと高精度の成長制御を提供するように設計されています。このモデルは、堆積速度と層の厚さ、堆積される層の組成と質感を正確に制御することができます。MBE機能に加えて、VARIAN GEN II MBEには最先端のオンライン特性評価スイートも含まれています。このスイートは、X線回折（XRD）、原子力顕微鏡（AFM）、走査型電子顕微鏡（SEM）、および電気特性測定など、さまざまな技術を通じて薄膜分析および評価を可能にします。INTEVAC GEN II MBE装置は、ナノメートルスケールの精度と高度な特性評価機能を備えた高度なデバイスや構造の製造に強力なツールを提供します。これらの機能の組み合わせにより、GEN II MBEシステムは、さまざまな研究および商用アプリケーション、特に超薄層を含むアプリケーションに適しています。