中古 RIBER 32P #9309553 を販売中

MBE （Molecular beam epitaxy）は、薄膜を基板上に合成して堆積させる方法である。RIBER 32P装置は、精密な厚さ、優れた結晶性、および欠陥の少ないエピタキシャル層（フィルム）を提供するように設計された高性能MBEシステムです。このユニットは、高真空チャンバー、エフュージョンセル、ターボ分子ポンプ、シャッター、ソース材料のシャッター、超高真空（UHV）トランスファーチャンバーなど、いくつかのコンポーネントで構成されています。高真空チャンバーは基板ホルダーの領域として機能し、流出セルはソース材料を蒸発させるために使用されます。その後、原料はターボ分子ポンプによって基板に輸送され、堆積されます。沈着が完了すると、シャッターを使用して基板をチャンバーから分離することができます。他のシャッターは、高真空チャンバーに追加のソース材料を放出するために使用することができます。また、UHVトランスファーチャンバーは、高真空環境への基板の輸送を確実に行うための絶縁環境を提供し、10-9 mbarの部分圧力を持つガス環境で成長するエピタキシャル層を保護するために安全に密封することができます。この機械には、液体窒素を冷却した軸上反射高エネルギー電子回折（RHEED）ツール、自動連結安全資産、光分光機能、温度を正確に操作するための加熱および冷却素子、動的圧力制御プログラム、コンピュータ制御およびデータ収集モデル、および手動制御装置などの追加コンポーネントも含まれています。RHEEDシステムは、基板の結晶性とエピタキシャル層をリアルタイムで監視する電子銃と検出器で構成されています。光分光機能により、エピタキシャル層の吸収や反射などの様々な特性を調べることができます。暖房および冷却の要素は-40°Cから+900°Cに正確に温度を操作できます。動的圧力制御ユニットは、高真空室内の圧力を安定させるために使用されます。コンピュータ制御およびデータ収集機械はリアルタイムの用具の監視および制御を提供します。最後に、手動制御アセットは、ユーザーにモデルのパラメータに対するより大きな制御を提供します。結論として、32P分子ビームエピタキシー（MBE）装置は、エピタキシャル層の精密な薄膜成長を優れた結晶性、欠陥の少ない含有量、および精密な厚さで提供する高度な多機能システムです。その付加的なコンポーネントは、ユーザーに制御および監視機能を提供し、エピタキシャル層を合成および堆積するための汎用性の高いユニットとなります。