中古 RIBER 32 #9227851 を販売中

Molecular Beam Epitaxy （MBE）は、基板上の材料の高品質の薄層を成長させるために使用される技術です。RIBER 32は、III-VやII-VI化合物などの半導体材料の薄く高品質な層を製造するために使用されるMBE装置の一種です。32は、材料の熱源と原子源の両方を備えており、部屋から超高真空までの温度範囲で層を成長させることができます。RIBER 32は、電子ビーム蒸発器、フィレットヒーター、および複数の電子顕微鏡を含む半閉鎖超高真空（UHV）チャンバーで構成されています。蒸化器は固体源などの固体源から材料を蒸発させるために使用され、フィレットヒーターは必要な温度にソース材料を加熱するために使用されます。電子顕微鏡は、それらが成長するにつれて層を観察し、分析するために使用されます。このシステムは、非常に高い真空レベル（通常は10-6と10-8 torrの間）、非常にクリーンな環境、および正確な温度制御と非常に均一な薄膜層を提供するように設計されています。UHVチャンバには、In-situ Diagnosticシステム（ESCAおよびXRD）とキャパシタンスマノメータが装備されており、単位パラメータを正確に監視できます。32は窒化物、酸化物、窒化物/酸化物および他の複雑な合金を含む多くの半導体材料の良質の薄膜を育てることができます。室温から超高真空（UHV）まであらゆる温度で動作できます。成長領域全体にわたる膜厚の優れた均一性と、堆積膜の非常に均質な特性を提供することができます。また、発光有機ELや光導波路などの用途に最適な原子滑らかな表面の成長を可能にする原子ビームツール（ABS）を搭載しています。ABSは対象物質の分子を捕捉し、基板上にビームを集中させて汚染物質の存在と成長条件を積極的に制御します。32の最高の性能と高い信頼性により、多くの半導体材料の薄膜層の成長に最適です。また、低コストで生産性を向上させ、最新のエレクトロニクス用薄膜の研究および製造において重要なツールとなっています。