中古 MICROBEAM Nanofab 150 #9032282 を販売中
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ID: 9032282
ウェーハサイズ: 6"
Direct write ion beam lithography system, 6"
GDSII
Integrated laser position stage
Minimal beam spot size: 20nm
Energy: 4 -150 keV (300 keV double ionization)
ExB Mass filter
M/deltaM ≥ 50
Liquid metal ion sources: Ga, Si, Ge, In, Be, Au, As, B, Pd, Bi
Beam current density: Up to 5A/cm2
Computer controlled
Stepper motor driven substrate state: 165mm x 165mm travel
1 nm Resolution laser position monitor
Upgrade options available:
Advanced sub 10nm ion optics
Stainless steel system with 10 Pallet load-lock (6" wafer only)
8" wafer handling (2 pallet load-lock only)
General System Upgrade (GSU): Includes vacuum, computer, data handling software, interferometer
Ion sources: 5A/cm Ga, Si, Ge, In, Be, Au, As, B, Pd, Bi sources
Ion guns
Advanced Performance Gun (APG) and source.
MICROBEAM Nanofab 150は、薄膜や基材の表面に精密かつ複雑な特徴を均等に作り出すために使用されるイオンフライス加工装置です。イオンビームエッチングとも呼ばれるイオンビームミリングプロセスを利用し、イオンビームを使用して既存の材料や薄膜を物理的に切断します。このシステムは、低圧雰囲気の基板材料に、一般的にアルゴンの高強度イオンのビームを導入することによって動作します。イオンは、決定された電圧でソースから電極にアークを移動します。イオンは、材料と衝突すると電子を引き裂き、ユーザーの設定に従って材料を均等に、または所定のパターンで均等に切断します。爆撃によって生成された粒子と物質蒸気は、真空ポンプによってユニットから引き離され、基板材料に潜在的な損傷を与えません。他のフライス加工プロセスに比べてマシンの主な利点は、その高精度、ソースの選択の柔軟性、および多くの異なる基材をアブレーションする能力です。このツールを使用して達成できる精度は、重要な材料や複雑な形状のフィーチャーの製造に特に役立ちます。さらに、設定に応じて、ユーザーはアブレーションの均一性のレベルをある程度の精度で決定することもできます。例えば、ユーザーは必要な特徴のサイズそして形によってイオンエネルギーまたは線量のような異なった変数を選ぶことができます。そのため、アセットは、長方形、円形、円錐形、ハニカムパターン、さまざまなサイズのテクスチャなど、さまざまな形状の特徴を作成するために使用できます。Nanofab 150モデルは、基板や薄膜を高精度かつ高精度にエッチングする高効率で高精度な方法をユーザーに提供します。この装置は非常に適用範囲が広く、カスタマイズ可能で、ユーザーが正確に粉砕された表面を保障する速度、イオンエネルギーおよび力を制御することを可能にします。さらに、その高精度は、重要な材料での使用や複雑で複雑な機能の生産に最適です。
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