中古 VARIAN / TEL / TOKYO ELECTRON FBR II / HPS-T001 / HT II #9187207 を販売中
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ID: 9187207
ヴィンテージ: 1996
Ion implant system
High voltage power supply
HV FBR HPS
Accel: +120KV x 50 mA
Decel: ±60KV x 50 mA
Isolation: 115/230V
Line: 208V
FBR Unit: FBR11
E1 HV Unit: HFT11
E2 HV Unit: HFT12
Isolation transformer unit: HT11
Single phase
50/60 Hz
4 kVA
Primary: 208V
Secondary: 115/230
1996 vintage.
VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON FBR II/ HPS-T001/HT IIは、半導体製造装置のリーディングサプライヤーであるTELが開発・製造したイオンインプラントおよびモニターです。このデバイスは、半導体デバイスの生産速度と精度を向上させるように設計されています。FBR IIは、ファラデーケージ技術を活用した効率的で信頼性の高いイオンインプラントおよびモニター装置です。イオン電流の精度を高める垂直のファラデーケージと、イオンを均一に分散させるユニークなヘリカル誘導レンズを特徴とし、応用チャンバー内の均一性を最大化します。FBR IIの高い精度、信頼性、速度は、半導体デバイスの生産に迅速かつ正確なプロセスを提供します。イオン注入に加えて、FBR IIは内蔵のモニタリングシステムも備えています。このモニタリングユニットは、ツール内のさまざまなセンサーと信号を使用して、温度、汚染、基板特性などのさまざまなパラメータを測定することができます。モニタリングマシンは、プロセス全体の精度を向上させ、潜在的な故障を予測するために使用できます。FBR IIは、幅広いアクセサリやコンポーネントを備えており、幅広い半導体デバイス製造アプリケーションを実行することができます。インプラント、フォトレジストストリップ、アニーリング、真空蒸着、ウェーハテストなど、さまざまなプロセスに使用できます。FBR IIには、基板伝達機構、インライン基板ヒーター、プログラマブルドリフトスクリューなど、さまざまなコンポーネントも含まれています。全体として、TEL FBR II/ HPS-T001/HT IIは、半導体デバイスの生産速度と精度を向上させるために使用できる効率的で信頼性の高いイオンインプラントおよびモニタリングツールです。高度なファラデーケージと独自のヘリカル誘導レンズを備えており、精度と信頼性を提供します。これらの機能はすべて、FBR IIの信頼性と有効性に貢献しています。
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