中古 VARIAN E500 #9085170 を販売中

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ID: 9085170
ウェーハサイズ: 6"
ヴィンテージ: 2005
Medium current ion implanter, 6" Signal tower: front panel Production wafer qty: single wafer Platen type: M-clamp Load lock: Left, right (walkout sensor) System Vacuum: Ion source chamber Beam line chamber End station chamber Terminal dry: Ebara 4020 Source TMP: Seiko STP-1000C Source TMPC: Seiko STP-1000C Resol TPM: Seiko STP-301C Resol TMPC: Seiko STP-301 Beam line TMP: Seiko STP-1000C Beamline TMPC: missing Endstation C/P: CTI On-Board 10F Compressor: Suzuki Load lock TMP: Varian CTI100 Load lock TMPC: Varian CTI100 Endstation dry: Ebara 5020 + boost Process Gases: AsH3: SDS type, VCR 1/2" PH3: SDS type, VCR 1/2" BF3: SDS type, VCR 1/2" Ar(N2): DISS type, CGA 580 Power Supplies: Arc: 300VDC, 15A Filament: missing Source Magnet: 20V, 50A Extraction: missing Extraction suppression: missing Analyzer magnet: 40V, 125A (Max 150A) Mirror power supply: 30kV, 2.5mA (2) Quadrupole Magnet: 20V, 50A Scan generator: -30kV, 10mA Mirror: missing Dipole lens magnet: 40v, 125A (Max 150A) Acceleration: missing Acceleration suppression: -5kV, 5mA Acceleration stack: missing Controller: Left Arm Servo Right Arm Servo Vacuum gauge Scan faraday Platen tilt Servo Vertical lift orienter Uniformity Linear motor servo amp Orienter Left elevator Right elevator Dose integrator DI Temp Monitor Terminal PD DC PS: missing Options: Beam energy probe: yes 2_step beam reducer: not used Auto decel: missing Gas box type: HP (2 SDS bottles, insert) Soruth type: Bernas Faraday type: Varian scanning Faraday Vaporizer PS: none Utilities: Power: 208VAC, 3 phase, 5 wires, 43.2 KVA, 120 FLA Air: 100 ~ 150 PSI N2: 40 ~ 150 PSI Cooling water: 60~150 PSI, 4-21°C High Voltage Range: Extraction power supply: 0 keV - 70 keV Acceleration power supply: 0 keV - 180 keV 1995 vintage.
VARIAN E500は、さまざまなイオン注入要件を満たすように設計された高性能イオンインプラントおよびモニターです。省スペースの単一電源を採用し、1keV〜10keVのイオンビームエネルギーに対応できます。VARIAN E 500は、低エネルギー精度のインプラント機能と高イオン電流を組み合わせたモジュラー設計を特徴としています。この優れた柔軟性により、幅広い半導体デバイス製造業務に最大限の生産性を提供します。モジュラー設計に加えて、E-500は最新世代のVARIAN Tandem技術を特長とし、異なるウェーハサイズや材料に高精度で高効率なイオンを埋め込むことができます。これは、高度なタンデム技術を使用して、強化されたビームの均一性、時間制御、および精度を作成します。VARIAN E-500の制御装置は、完全に自動化されたエラー監視システムを提供する最新の高度なVARIAN ACCeDirect (ActiveConfigured Control)を使用しています。ACCeDirectユニットを使用すると、E 500はインプラント監視の終了、ビームパルス持続時間、ビーム位置決めフィードバックなど、さまざまなセンサーを介して簡単に監視できます。さらに、このマシンは、生産プロセス中にピークビームの均一性と精度を維持するのに役立つ高度なデータ分析と制御機能を提供します。E500のパワーツールには、最大10kWビームエネルギーを備えた強力なRF電源が含まれています。これはモジュラー設計と組み合わせることで、高電流で低エネルギーイオンを埋め込むことができます。これにより、VARIAN E500は他のほとんどの市販イオンインプラントよりも大幅に低い線量率を生成することができ、生産レベルのイオン注入プロセスに理想的なソリューションとなりました。VARIAN E 500は、IEEE-488通信規格で構築されており、他の生産設備と容易に統合することができます。また、最高レベルのエンジニアリングサポートを提供するというVARIANのコミットメントに裏打ちされています。全体として、E-500は強力でありながら高効率でユーザーフレンドリーなイオンインプランターとモニターです。調整可能なビームエネルギーと精密制御オプションにより、優れた着床能力と生産性を提供します。さらに、幅広いデバイスと互換性があり、既存の生産プロセスに簡単に統合できるオープンアーキテクチャを提供します。VARIAN E-500は、高性能プラズマベースのイオンインプラントを必要とするあらゆる半導体製造施設に理想的なソリューションです。
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