中古 VARIAN E1000 #9214217 を販売中

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ID: 9214217
ヴィンテージ: 1994
High current implanter Chamber cryo pump: CT-250F Source dry pump: QDP80 Beam-line turbo pump: LEYBOLD L/L Rough pump: QDP80 + QMB250 L/L Turbo pump: VARIAN 300HT Station: Bell jar Scrubber: VECTOR TECHNOLOGIES Process gas: BF3, PH3, ASH3 Power: 380 VAC, 3 Phase, 4 Wires, 55 kVA 1994 vintage.
VARIAN E1000は、VARIAN Semiconductor Equipment Associates (VSEA)によって設計および製造されたイオンインプラントおよびモニターです。静電気加速器で、ウェーハなどの平面基板や曲面基板に様々な材料のイオンを埋め込むことができます。このデバイスは、イオン注入プロセスを制御する正確で信頼性が高く、費用対効果の高い方法を提供するように設計されています。VARIAN E-1000は、イオンソースとイオンビームモニターの2つの主要コンポーネントで構成されています。イオン源は、高強度、低エネルギービームを生成することができるダイヤフラムレスイオン源で構成されています。このデバイスには、ビーム電流とイオンエネルギーを変化させる可変電流が装備されており、着床プロセスを正確に制御できます。イオンビームモニターは、イオンビームのフラックスとエネルギーを測定する4極質量分析計であり、プロセス制御のフィードバックを提供します。これらのコンポーネントに加えて、E 1000には、プロセスのパフォーマンスを向上させるために設計されたさまざまな機能があります。これらには、ビームキルスイッチ、電圧安定性モニタ、および一貫したイオン注入を可能にするビーム電流フィードバックシステムが含まれます。さらに、このデバイスは高度に自動化されており、無人での運用と自動生産システムへの統合が可能です。VARIAN E 1000は、イオン注入プロセスの精度と信頼性を大幅に向上させます。半導体製造での使用に最適であり、そうでなければ達成することが困難である埋め込みの正確な制御を提供します。この装置を利用することで、手作業による介入を必要とせずに着床処理を行うことができ、運用コストを大幅に削減できます。さらに、埋め込み工程における汚染などの不純物を検出することも可能で、より良い品質管理が可能です。全体として、E1000は高度で信頼性の高いイオンインプランターとモニターです。簡単で費用対効果が高く正確な埋め込み工程の制御方法を提供し、生産がより効率的で信頼性の高いものになるようにします。このデバイスは、半導体製造での使用に最適であり、今後も業界の不可欠な部分となる可能性があります。
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