中古 VARIAN E1000 #181223 を販売中

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ID: 181223
ウェーハサイズ: 6"
ヴィンテージ: 1991
Implanter, 6" Gas Box: 4X(3.4L x $) Turbo Pump: Ion source, beamline Gas Bottle #1: Ar - High Pressure Gas Bottle # 2: BF3 - High Pressure Gas Bottle # 3: PH3 - High Pressure Gas Bottle # 4: AsH3 - High Pressure Auto set up: Yes Scan: Disc scan chamber Wafer handling: Bell jar, 6" Wafer clamp: DISC, 18 wafers Ion Source: Dula filament Accel tube: Yes HV Power Supply: Accel 1 and 2 Loadlock elevator: 3 sets Monitor: Operation and service +/- 7° with electrostatic bias ring, manual disc implant angle Manual disk implant angle Plasma flood gun and power supply: 1) Arc P/S: 40VDC, 10A Max, 2) Filament P/S: 8VDC, 75A Max CSR upgrade: 1) Does/spin/flip control PCB 2) Spin/scan/flip amplifier Ar beam implant available Installed in clean room 1991 vintage.
VARIAN E1000は、半導体業界で一般的に使用されるイオンインプランターおよびモニターです。VARIAN E-1000は、半導体製造プロセスの厳しい要求に応えるように設計されており、ドーパント注入およびイオンビームミックス制御において非常に効率的です。E 1000はビーム源、磁気および静電気光学およびビームプロファイラの最新の革新を使用して、装置がドーパントの注入および他の操作のための高精度そして精密を提供することを可能にします。E-1000は、柔軟なイオンビーム混合のための可変イオン分散を作成する独自のビーム分散システムを利用して、プロセス制御を改善します。さらに、E1000の大型ビームチャンバーにより、高速スキャンと高スループット、低コストのメンテナンスが可能です。VARIAN E 1000の最適化されたビームターゲットワークフローは、高品質のドーピングプロファイルの配信と歩留まり率の向上を可能にします。高度なビーム位置モニタ、洗練されたビーム電流モニタ、リアルタイムスキャンオプションにより、信頼性と一貫したドーパントプロファイルがさらに提供されます。さらに、VARIAN E1000は複数の注入チャンバーを同時イオン注入および断面化に使用し、プローブ時間とダウンタイムを最小限に抑えてプロセスを最適化します。このユニットは、特許取得済みの独自の真空スキャンマシンを備えており、圧力安定性を向上させ、ビームの均一性と性能を最大化します。さらに、VARIAN E-1000はデジタルスキャンツールも備えており、ビーム電流を低減し、照度の均一性を向上させるための高度なバイアスと制御機能を提供します。E 1000は、数多くの機能に加えて、包括的な可視化アセット、包括的なユーザーインターフェイス、包括的なデータ分析パッケージなど、高度なソフトウェアコントロールも備えています。これらのソフトウェアコンポーネントは、移植プロセスの各段階を監視するために必要なプロセス制御および分析機能をユーザーに提供します。E-1000は、ドーパント注入のための比類のない精度と精度、並びに比類のないプロセス制御と歩留まりの最適化を提供する高度な機能とソフトウェア機能を備えています。
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