中古 VARIAN E1000 #145999 を販売中

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ID: 145999
Ion implanter, 8" Maximum beam energy: 200kV Facilities: Electrical: 380-460V, 3-phase, 4-wire, 50kVA 100A Main CB, 18,000 IC, 60Hz 25A Max single load Water: Inlet pressure: 40 to 100 psi (275.8 to 689.5 kPa) Pressure drop: 40 psi (275.8 kPa) Flow rate: 18 gpm minimum (68.1 L/min) Inlet temperature range: 50 to 68°F (10 to 20°C) Nitrogen pressure range: 50 to 100 psi (334.7 to 689.5 kPa) Air pressure range range: 100 to 125 psi (689.5 to 861.8 kPa) Exhaust: Flow rate: 1,200 cfm minimum (34.0 m^3/min) Pressure drop: 1.5 in H2O (373.36 Pa) Tool shutdown Q1 2009 Currently installed and located in cleanroom in fab 1997 vintage.
VARIAN E1000イオンインプランターおよびモニターは、VARIAN Semiconductor Equipmentの高性能イオンインプランターおよびモニターです。このデバイスは、材料の電気的特性を向上させるために、ドーパントなどのイオンを半導体チップや材料に埋め込むように設計されています。チップや部品を作るためにシリコンウェーハをドーピングするために一般的に使用されます。VARIAN E-1000イオンインプランターは、高度なビーム電流とエネルギー制御、高度な角度制御、高度なスペースチャージ補償、および高度なエンドオブラン(EOR)技術など、幅広い機能を備えています。E 1000は最大30 keVのエネルギー範囲を持ち、急激な立ち上がり/落下時間があり、急速なスイッチ幅の調整が可能です。VARIAN E 1000はまた、部品チャンバの変更数を最小限に抑えるためにオンボードビームチャンバーを提供します。E-1000に高い線量率があります、実行の開始の200ms以内の250mA/cm2まで提供します。この高用量率と高度なエンドオブラン技術を組み合わせることで、すべてのプロセスセルで均一な線量分布を実現し、プロセス全体の均一性を向上させます。E1000は、単一の実行で複数の構造を情熱的にすることができます。VARIAN E1000は、アップタイムとスループットを最大化するように設計されています。ウェーハ加工前にツールの自動認証チェックを行うことができ、迅速なビーム条件切り替えにより、インプラントからインプラントへの迅速な切り替えが可能です。VARIAN E-1000の高度な高度なビームチューニングと制御、高度なスペースチャージ補正と高度な角度制御により、これまで以上に精度の高い埋め込みが可能です。高速処理と正確なインプラントの利点に加えて、E 1000はまた、ウェーハインプラントの操作と監視を簡素化するためのインタラクティブでグラフィカルなユーザーインターフェイスを提供します。このユーザーインターフェイスにより、オペレータはVARIAN E 1000の設定にすばやくアクセスして変更し、顧客のニーズに合わせてインプラントのパラメータを変更することができます。全体として、イオンインプランターとモニターE-1000、半導体チップや材料にドーパントなどのイオンを埋め込み監視する高度で高性能なツールです。多種多様なプロセスセルに精密で均一なインプラントを供給でき、効率的なチップ製造が可能です。ユーザーフレンドリーなインターフェース、埋め込みパラメータの急速な切り替え、自動化されたツール認定チェックにより、E1000は生産のアップタイムとスループットを最大限に引き出すことができます。
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