中古 ULVAC SMI-60H #293647824 を販売中
この商品は既に販売済みのようです。下記の同じようなプロダクトを点検するか、または私達に連絡すれば私達のベテランのチームはあなたのためのそれを見つけます。
タップしてズーム
販売された
ID: 293647824
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2007
Medium current hydrogen ion implanter, 12"
DI Water circulator
(2) Mass flow controllers
(20) Transfer particles: ±0.2 µm
Ion source head: H2+, 4He+
X-Ray leak rate: 0.6 µSv/h
Gas supply line:H2 / He Gas bottle
Vacuum pumping system:
EBARA AA10N Dry pump
SHIMADZU TMP803M Turbo molecular pump, 800 liter/sec
SHIMADZU TMP1003M Turbo molecular pump, 1000 liter/sec
Process chamber: SHIMADZU TMP3203M Turbo molecular pump, 3000 liter/sec
EBARA AA10N Dry pump Turbo molecular pump 300 liter/sec
Pirani vacuum gauge
Ionization vacuum gauge
End station (Transfer chamber / Process chamber)
Substrate size: 230mm x 180 mm x 0.7 mm
Vacuum transfer system: Vacuum transfer robot
Platen: ESC
Substrate scanning system: Y-Stage
ATM transfer robot
Clean unit
(2) Rorze RV201-F05-004-1 Foup Opener
Notch aligner: for 300 mm and 200 mm
Conversion kit for 200mm / 300mm:
Platen, cooling plate, L/L plate
Vacuum robot pick-up
Maximum beam current:
8mA at 60 keV at H2+
8mA at 35 keV at He+
Beam current stability: ≤±10 % / hour
Implant uniformity: ≤5% (Distribution of peak depth)
Implant condition: H2+ , 60kV, 3.0E16 ions/cm
Measurement condition: SIMS 5piont (Within wafer)
Mass analyzing capability: H2+, 4He
Substrate size: 230 mm x 180 mm
Dose integrator capability: 1.0E15 –2.0E17 ions/cm²
Wafer tilt angle: 0 to 60° (±1°)
Metal contamination: Surface <5x1010/cm² (Fe, Ni, Cr, Zn, Cu by TXRF)
Implant condition: H2+ ,60keV, 3.0E16 ions/cm²
Ultimate pressure :
Ion Source: 6.7x10-4 Pa(5.0x10-6Torr)
Beam Line: 6.7 x 10-5 Pa(5.0x10-7Torr)
Process chamber: 6.7 x 10-5 Pa(5.0x10-7Torr)
Ion extraction system:
Extraction power supply
Extraction electrode
Beam focusing system:
Einzel-lens
Power supply
Mass analyzer magnet:
Deflection Coil Magnet, 90°
Power supply for magnet: 10V / 60A
Analyzing slit
Post acceleration system:
Acceleration tube
High voltage power supply
Beam focusing system:
Magnetic quadrupole lens
Power supply
Beam monitoring system:
Pre-amplifier
Dose monitor
Control system:
Computer
End-station / Pumping control: Sequencer
UPS For computer
Energy range:
30keV to 70keV (for H2+)
30keV to 35keV (for He+)
Spare parts: Ion source consumable parts
Power: 35~60keV
Dose: 1.0 x 10^15 ~ 2.0 x 10^17 H2+ions/cm²
Max RP: ~600 nm
Manuals included
2007 vintage.
アルバックSMI-60Hは半導体産業で使用されるイオン注入器およびモニターの一流です。市場で最も高い注入精度を提供する高性能ツールです。効率的で高精度なイオン注入プロセスを提供するように設計されており、優れた再現性と最小限のメンテナンスが必要です。SMI-60Hは、高度な制御および加速技術を利用して、最適なイオン注入プロセスを提供します。最先端のビームフォーミングシステムを搭載し、ビームプロファイル、電界、磁界を選択する際に最大限の柔軟性を発揮します。このシステムは、ビーム断片化を無視して、信じられないほど正確な埋め込み結果を可能にします。また、各種基板やインプラントに各種イオンを使用することができます。ULVAC SMI-60Hのユーザーインターフェイスは、直感的で使いやすいです。プレーヤーは簡単にさまざまなインプラントのプロセスとパラメータを素早く設定できます。また、最適な着床結果を確保するための包括的な材料分析機能を備えています。さらに、包括的な監視機能により、ユーザーはプロセスを最適化し、プロセス出力を改善するために必要なすべての情報を得ることができます。SMI-60Hにはスマートな温度制御システムが付属しており、基板を最適な処理温度に加熱することができます。これにより、基板への熱損傷の潜在的なリスクが低減されます。さらに、移植された粒子を安定した安全な環境で維持し、正確さを確保します。ULVAC SMI-60Hは安全性と信頼性を最大限に高めるために設計されており、数多くの安全システムとセンサーが設置されています。これにより、ユーザーはデバイスの故障の可能性を最小限に抑えてイオン注入を実行しながら、心配することなくデバイスを操作することができます。さらに、高効率を目指して設計されており、柔軟なセットアップにより、プロセスサイクル時間を短縮し、生産性を最大限に高めることができます。SMI-60Hは信じられないほど強力で信頼性の高いイオンインプランターとモニターです。最小限のメンテナンスで、精密かつ正確な埋め込みプロセスを可能にする高度な技術と機能を利用しています。直感的なユーザーインターフェイスのおかげで、ユーザーは迅速かつ簡単にさまざまなインプラントをセットアップし、結果を監視することができます。包括的な安全システムは、ユーザーと基板のための最大の安全性を確保します。これらのすべての機能と技術により、アルバックSMI-60Hはあらゆる半導体業界にとって理想的な選択肢となります。
まだレビューはありません