中古 SEN / SUMITOMO EATON NOVA NV-GSD-HE3 #9283246 を販売中

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ID: 9283246
ウェーハサイズ: 12"
High energy implanter, 12" (4) FOUP Energy range: 10 KeV to 3750 KeV with RTEM (Real Time Energy Monitoring Capability) UPS: MUF3051-BL Mass analysis magnet and power supply Inject flag faraday Power supply: 3 kW 13.56 MHz High voltage beacon Does not include Hard Disk Drive (HDD) Liner accelerator: (12) High energy resonator cavities (14) Quadrupole Quadrupole lens and power supply Final energy magnet and power supply Resolving faraday Continuous variable aperature End station wafer handling: In-air / In-vacuum high throughput wafer handling system Sub-class 1, ULPA filtered wafer handling area Automatic notch alignment capability with buffer cassette Integrated "dummy wafer fill-in capability Slot to slot wafer integrity End station disk: Two axis variable implant angle (13) Wafers process disk with direct, 12" End station dose control: Real time patented dose control End station robot: SEN MACOROB 300 End station option: Valved RGA Port on end station resolving Valved RGA Port on disk module Faraday burn through sense Facilities utilities: Feed from bottom Feed gas box exhaust from top Facilities cable: Remote cryo pump compressor cable Remote disk chiller cable Facilities: Main PD assembly Signal tower light assy (4) Light CE Fire safety kit: Smoke detector VESDA 60 Hz Standard Gas box exhaust needs to feed from top High voltage warning display - English Gas box: Gas 1 type Gas box gas type position Ar with HP Gas 2 type Gas box gas type position BF3 with SDS Gas 3 type Gas box gas type position BF3 with SDS Gas 4 type Gas box gas type position PH3 with SDS Gas 5 type Gas box gas type position PH3 with SDS MFC2 Unit 8160 10 ccm MFC3 Unit 8162 5 ccm MFC4 Unit 8162 10 ccm MFC5 Unit 8162 10 ccm Remote rack: SEN chiller Heater exchange from FAC Service PC X-terminal Door Bypass Switch: Source head: ELS 3-AXIS Extraction electrode: Vacuum Cryopump CP2 BROOKS OB-8 Vacuum Cryopump CP3 BROOKS OB-10 Vacuum Cryopump CP7 BROOKS OB-250F Vacuum Cryopump CP8 BROOKS OB-250F Vacuum STP-2203C TP1 Vacuum STP-A803C TP4 Vacuum STP-A1303C TP5 Vacuum STP-A803C TP10 Vacuum STP-A1303C TP11 Vacuum STP-A803C TP12 Manuals included.
SEN/SUMITOMO EATON NOVA NV-GSD-HE3は、モニター技術を搭載した高性能高エネルギーイオンインプランターです。このデバイスは、半導体製造に使用されるヒ素、ガリウム、インジウムなどの重いイオンを制御して効率的に埋め込むことができます。このインプランターはまた、精密なインプラント制御のための非常に高速な高電圧スイッチングで超精密インプリントを提供します。SEN NV-GSD-HE3は、金属材料や無機材料、その他の化合物や基材など幅広い材料を取り扱っています。それはエネルギーおよび線量の設定の広い範囲の高精度のイオン加速およびビーム制御を可能にします。このデバイスは、最高の効率と安全性のための人間工学的設計を備えています。このデバイスには、高精度の検出器を使用してビームドリフトと汚染を検出する高度なビームモニタリングシステムが装備されています。この機能は、材料の最高品質の埋め込みを確実にするのに役立ちます。高精度イオン源、高精度ビーム光学、高精度ビーム搬送、高精度UV光学を備えています。耐久性と高性能を兼ね備えた高品質な素材を使用しています。このデバイスは、高精度イオン注入のために放出されるイオンの量と位置を正確に制御します。SUMITOMO EATON NOVA NV GSD-HE3の最もユニークな特徴の1つは、ビームの線量をリアルタイムで直接測定する能力です。この技術と容量により、ユーザーはレチクルの電子ビーム電流の出力を変更するような設定を調整することができます。このデバイスはまた、生産性を向上させる高いスループット率を備えています。また、このデバイスは、ユーザーが高精度でビーム移動速度を調整することができますクローズドループのフィードバック規制を提供しています。このデバイスは、ライン、ユニフォーム、形状インプラントなど、さまざまなタイプのインプラントに幅広いパターン発電機で使用することもできます。このデバイスは、半導体ウェーハの処理、無機材料のアニール、基板フィルムの製造など、幅広い用途向けに設計されています。また、薄膜の製造や重いイオンや電荷交換元素の埋め込み制御にも使用できます。NV GSD-HE3は、安全で使いやすいパッケージで高度なインプラント技術とパフォーマンスを提供します。このデバイスは、さまざまな移植および処理アプリケーションに最適であり、高精度、信頼性、再現性の高い移植を提供します。この信頼性の高い汎用性の高いデバイスは、重イオンやその他の材料の埋め込みにおいて、一貫した性能、安全性、効率を提供します。
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