中古 AMAT / APPLIED MATERIALS Quantum Leap III #9066908 を販売中

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ID: 9066908
ウェーハサイズ: 8"
High current ion implanter, 12" Mini E: Felcon unit fitted, No UCAS MMTX VME Light tower fitted Post Accel QIII Type Tilt: +/- 15º Scan and beamstop mods QIII ABM Option fitted (6) Positions gas panel (1) High pressure toxic module Source: QIII with (4) pins connector IHC Chassis: Single Arc PSU DSP Type: 0100-00838 Tetrode version: Surge R: 9090-01382 PSU: 1140-00161 (A1028760) Extraction area: EVR fitted Delate: 0100-01445 Pre Accel PSU: 9090-00397ITL Leybold Mag drige Digital controller VME & Main PDU Side On-board CTI Cryo controller Pumps removed CE-Marked.
AMAT/APPLIED MATERIALS Quantum Leap IIIは、高度なデュアルビーム、高電流イオン注入器およびモニターで、幅広い基板材料におけるイオンの正確で信頼性の高い注入を提供します。AMAT Quantum Leap IIIの中核は、高度なビームおよびソース処理と相まって、ビームラインおよびイオンソース技術を利用して、基材にイオンを高精度かつ正確に埋め込むことができます。この焦点イオンエネルギーと注入電流は、同時に広範囲の注入を可能にします。アプライドマテリアルズQuantum Leap IIIで使用される様々なビームライン部品は、イオン注入プロセスの速度と精度を最適化するように設計されています。イオン源、ビーム制御ユニット、ビーム偏向ユニット、最適化された光学系を含むビームラインはすべて最適化されており、金属、半導体、ポリマーなどの幅広い基板材料に最適なイオン注入を提供します。このビームとソース部品の強力な組み合わせにより、Quantum Leap IIIは、所望の着床プロセスの結果に応じて、わずか数十ナノアンプから数十キロアンプまでの着床電流を供給することができます。AMAT/APPLIED MATERIALS Quantum Leap IIIには、ビームおよびソースコンポーネントに加えて、イオン注入プロセスのリアルタイムデータを提供するモニターも装備されています。チャンバーコントロールユニットと高度な診断で構成されたモニターは、植え込み電流、エネルギー、植え込みの深さなど、さまざまなパラメータを示します。これにより、ユーザーは着床動作をリアルタイムで表示でき、必要に応じて即座にインサイトや変更を行うことができます。この機能はすでに埋め込み精度と性能を向上させるために非常に有用であることが証明されています。AMAT Quantum Leap III Ion Implanter and Monitorは、高効率で効果的なシステムで、幅広い基板材料に品質と信頼性の高い埋め込みプロセスを提供するように設計されています。ビームラインコンポーネント、モニタ、診断の高度な組み合わせにより、正確で強力なインプラント、さらにリアルタイムデータがユーザーに提供されるため、ユーザーはプロセスを必要に応じて調整または最適化できます。
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