中古 VEECO Ion Beam Etcher (IBE) #293775921 を販売中

ID: 293775921
LEYBOLD MAG W 1300 Pump OERILIKON LEYBOLD D65BCS Gas BROOKS MX400TM 4-Side transfer module POLYSCIENCE DCW304D1M01 Chiller MARATHON Express 400 Palette loader MKS Baratron Manometer Process module Polished stainless steel chamber Single wafer fixture with flow cool Rotation: 3-10 RPM Tilt: +90°-75° Clamp Shield Liner Motion box I/O Net module I/O Box Loadlock Palette elevator Turbo pump Gas line (4) Pallets (3) MFCs (2) AC Power cabinets RF-350 Source with PBN and shutter Forline gauge: GP275 Mini conventron 275538-GD-T Rough gauge: GP275 Mini conventron 275538-GD-T GP354 Mini conventron 275538-GD-T Loadlock chamber gauge: GP275 Mini conventron Vacuum source and flow cool MKS: 10 SCCM (2) 50 SCCM Power supply: 208 V, 3 Phase, 150 Amps.
VEECO Ion Beam Etcher (IBE)は、半導体デバイス製造プロセスで使用される最先端のツールで、材料の正確な除去と表面改質を実現します。VEECO IBEは、イオンビーム技術を活用して、優れた精度と均一性で様々な素材をエッチング・アッシングするための制御された高効率な方法を提供します。VEECO IBE装置の中核には、イオンビーム源があり、基板を爆撃し、分子結合を破り、物理的なスパッタリングによって材料を除去する集中型および高エネルギーイオンビームを生成します。イオンビームは、処理される特定の材料や望ましいエッチング特性に応じて、アルゴンのような高貴なガスやCF4のような反応性ガスなど、さまざまなイオン源から生成することができます。VEECO IBEシステムの主な利点の1つは、基板表面全体の優れた選択性と均一性を維持しながら高エッチング率を達成することです。ナノスケール装置の製造には、材料除去を正確に制御することが不可欠です。VEECO IBEユニットは、エッチングプロセスを特定の材料およびデバイス要件に合わせて最適化できるさまざまなプロセスパラメータを提供します。イオンビームエネルギー、ビーム電流、ビーム角、基板温度などのパラメータを調整して、所望のエッチング速度、プロファイル、および表面仕上げを実現できます。材料エッチングに加えて、VEECO IBEマシンは、半導体ウェーハからの有機汚染物質またはフォトレジスト層の除去を含むアッシングプロセスもサポートしています。イオンビームパラメータとプロセス条件を慎重に制御することにより、VEECO IBEは基材を損傷することなく表面を効果的に灰にすることができ、デバイス構造の完全性を確保します。VEECO IBEツールには、高度な制御システムと監視ツールが装備されており、正確なプロセス制御とリアルタイムフィードバックを保証します。内蔵プラズマ診断、光放射分光法、エンドポイント検出機能により、オペレータはエッチングプロセスを監視し、リアルタイムで調整してパフォーマンスと歩留まりを最適化できます。さらに、VEECO IBEアセットは、自動ウェハハンドリング、レシピ管理、データロギング機能などの機能を備えた、高スループットの本番環境向けに設計されています。これにより、半導体メーカーは、複数のウェーハおよびプロセス実行にわたって一貫した再現性のある結果を達成し、全体の生産性と歩留まりを向上させることができます。結論として、VEECOイオンビームエッチャー(IBE)は、半導体デバイス製造における材料エッチングとアッシングのための汎用性と高度なツールです。VEECO IBEモデルは、精密な制御、高い均一性、優れたプロセス再現性により、最新の半導体製造プロセスの厳しいプロセス要件を達成するために不可欠なツールです。
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