中古 ULVAC NE-950EX-V #9298684 を販売中

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ID: 9298684
ヴィンテージ: 2015
CCP Etcher Capable of running: Single, 12" / Three, 6" Automated cassette to cassette handling (3) Wafers batch: 6" dia (7) Wafers batch: 4" dia (12) Wafers batch: 3" dia (29) Wafers batch: 2" dia Equipped ICP with magnetic field ULVAC P/N: 3188353 High density plasma source (2) ULVAC P/N: 3429391 Proprietary star electrodes Dry etching technology GaN, Sapphire, metal, ITO, SiC, AlN, ZnO (4) Elements compound semiconductor materials Option included 2015 vintage.
ULVAC NE-950EX-Vは、半導体デバイスの製造においてエッチングおよびアッシング処理に使用されるエッチャー/アッシャーです。エッチャー/アッシャーのこのモデルは、1台のマシンで幅広いエッチングおよびアッシング処理機能を組み合わせています。基板面積450mm × 450mmのNE-950EX-Vは、最大3つのガラスウェーハ、1つの金属または有機基板、または1つの石英ガラスの処理能力を備えています。パラレルエッチング、クリップエッチング、ディープエッチング、イオンミリング、リアクティブイオンエッチング、電子ビームトリミング、ウェーハ洗浄など、さまざまなエッチングおよびアッシングプロセスを提供します。アルバックNE-950EX-Vには、分解能の高いエッチング顕微鏡が搭載されており、拡散光学照明を利用して、各基板の明確な観察と正確なアライメントを実現しています。この顕微鏡システムは、最大100xまで拡大し、10ミクロン±の許容誤差まで正確にウェーハを処理することができます。また、Oリングシールによるエッチングも可能で、各種ガスによるドライエッチングも可能です。NE-950EX-Vは、電子密度が最大3 x 10¹º cm⁻¹のECR(電子サイクロトロン共鳴)源を内蔵しており、総単位圧力5Pa以下のエッチングとトリミングのための高密度プラズマを作成することができます。この超低圧力により、エッチングの均一性が向上し、ウェーハ表面からの離脱率が低下します。ECRソースには、電子サイクロトロン周波数、電流モード、および自動位相同期を制御し、すべての基板で最適なエッチングとトリミングを保証する内蔵のデジタルコントローラも備えています。ULVAC NE-950EX-Vには、超高周波プラズマを提供し、優れた洗浄性能を発揮する独自の二次電界プラズマランプも含まれています。プラズマランプは最大500MHz周波数で動作し、迅速かつ一貫したウェーハ洗浄を実現します。5段式ガスコントロールマシンによる予防保全のための外室を備えており、プロセス中に使用されるすべてのガスを正確に制御することができます。半導体製造NE-950EX-V安全・環境対策もサポートしています。これには、機械周囲の臭気や騒音のリスクを低減するためのフードやその他のセキュリティデバイス、および大気汚染を最小限に抑えるために適切に設計された排気システムが含まれます。結論として、ULVAC NE-950EX-Vは信頼性と高度なエッチャー/アッシャーであり、さまざまな半導体デバイスに優れたエッチングとアッシング性能を提供することができます。高解像度エッチング顕微鏡ツール、ECRソース、超高周波プラズマランプにより、半導体製造の品質と信頼性の基準を定めています。
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