中古 TEL / TOKYO ELECTRON Unity IIe 855II #9071931 を販売中
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ID: 9071931
ウェーハサイズ: 8"
ヴィンテージ: 1999
Oxide etcher, 8"
(2) Chambers
Wafer type: flat-zone
Rack type: V1 rack
Processing type: vacuum
Wafer loading type: normal
MFC:
GAS #1 C4F8 50
GAS #2 Ar 1000
GAS #3 SF6 100
GAS #4 CHF3 100
GAS #5 O2 20
GAS #6 CF4 200
GAS #7 PN2 100
GAS #8 CO 200
APC: VAT 61146-PH02-ABM1
Gauges:
Baratron CELERITY CDLD0112E 0~1TORR
Baratron TYRAN GENERAL CDL0112E 0~1TORR
Baratron MKS 622A01TDE 1PA
Convectron G/PHILLIPS 275203
TMP MITSUBISHI E-0776
TMP Controller MITSUBISHI FT-1200W
Robot YASKAWA VS2E
Robot Controller YASKAWA SRC-Ⅱ013
Generator PERAL LT-2000-800K; PERAL RP-3000-27M
6.Matcher PERAL M-30AW2VD-27M; PERAL M-20A2LS-V2
1999 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Unity II(東京エレクトロンユニティII) 855IIは、幅広い業界で使用されるエッチング/アッシング機です。これは、さまざまな基板を迅速かつ正確にエッチング/アッシュするように設計された強力でエネルギー効率の高いツールです。堅牢な設計とエッチング/アッシングプロセス用の高度なプロセス技術を備えています。TEL UNITYIIE-855 IIは、シリコン(Si)、リン酸インジウム(InP)、ヒ素ガリウム(GaAs)、電気基板、その他の貴重な材料において、2次元(2D)および3次元(3D)構造を処理することができます。均一な表面テクスチャを作成し、エッチング/アッシング率を高めながら、最終製品を最高品質に保つように設計されています。TOKYO ELECTRON UNITY IIE 855 IIは、圧力、時間、温度、基板厚など、幅広いプロセスパラメータを誇ります。4ゾーンのプラズマソース、柔軟なソフトウェア制御、迅速な起動時間を備えています。機械によって提供される使いやすく、精密な制御は基質の信頼でき、反復可能なエッチング/アッシングを可能にします。TEL UNITY IIE 855 IIは最高の効率を目指して設計されており、さまざまなツールやシステムと統合されています。この機械は複数のウェハを処理することができ、さまざまなエッチング/アッシング処理要件をサポートするために多くの特殊工具で使用することができます。また、ウェーハハンドラ、トップマウント炉、FOUPローダーなどのTEL/TOKYO機器とも互換性があり、完全かつ効率的なシステムを構築します。TEL/TOKYO ELECTRON UNITY IIE 855 IIは、幅広いパラメータと機器で高品質な結果を提供するように設計された業界をリードするエッチング/アッシング機です。堅牢で多様な機能を備え、高精度、高精度、再現性を備えたさまざまな材料の加工に最適です。
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