中古 TEL / TOKYO ELECTRON TELINDY Oxide #9196076 を販売中

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ID: 9196076
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2008
Vertical LPCVD furnace, 12" Model: TEL INDY-A-L Process: HTOX System power rating: 480 V, 3 Phase / 120 V, 1 Phase Loading configuration: 4 (Dual boat) Furnace module I/O Module Exhaust box Gas box Power box Currently installed 2008 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON TELINDY Oxide (TEL/TOKYO ELECTRON TELINDY OXIDE)は、半導体基板やウエハーなどの材料表面から金属酸化物をエッチングまたはアッシャーにします。主な加工チャンバーと反応チャンバーの2つのチャンバーで構成されています。主加工室には電子サイクロトロン共鳴(ECR)プラズマ源を備えています。このソースは、ECR駆動プラズマを生成し、エッチングおよびアッシングプロセスを実行するために使用されます。反応チャンバーには、ECR源と併用する誘導結合プラズマ(ICP)源の改変バージョンがあります。このデュアルソース構成により、高精度で効率的なドライエッチング処理が可能です。ECRおよびICP源は、処理室に導入される酸素、アルゴン、および他のガスの混合物から形成されたイオンとラジカルのRFプラズマを生成します。このプラズマは、半導体ウェーハのような基板表面から金属酸化物の層をエッチングまたは蓄積するために使用されます。酸化物の層が除去されると、層の品質と最終製品の品質が向上します。エッチング/アッシングの深さと速度は調整可能で、加工チャンバー内の圧力、電力、ガス混合物を変更することで微調整できます。TEL TELINDY Oxideは、効率的で信頼性の高いエッチャー/アッシャーであり、ナノおよびマイクロレベルで多種多様な材料を処理することができます。金属、セラミックス、半導体材料に適しています。基板の欠陥密度が低く、高いスループットと優れた表面品質を提供します。50〜500 µmの厚さのウェーハを薄くしたり操作したりすることができ、3D積層メモリデバイスの製造に特に役立ちます。TOKYO ELECTRON TELINDY Oxideは、オペレータとプロセス保護のためのさまざまな安全機能を備えています。これらには、動作状態、キーボードおよびアラームシステム、過圧保護、および処理チャンバの温度を監視するための色熱イメージングカメラを監視するブレークスルーポイント保護が含まれます。要するに、TELINDY Oxideは、効率的で信頼性が高く、汎用性の高いエッチャー/アッシャーであり、ナノおよびマイクロレベルで幅広い材料を処理することができます。安全性、精度、効率性を提供し、数多くのプロセスレシピや材料と互換性があります。
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