中古 TEL / TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-K #9282608 を販売中
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販売された
ID: 9282608
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2015
Vertical LPCVD Furnace, 12"
VCM-5D-012L Heater
Maximum operating temperature: 300°C
ART Control
N2 Load lock
Wafer type: Si SEMI STD-Notch
(50) Production wafers
Dry pumps missing
Loading area light: White (LED)
RCU Duct length FNC to RCU: 20m
Chemical prefilter hydrocarb
Chemical prefilter location: FNC Top
Wafer / Carrier handler:
Carrier type: FOUP / 25-Slots SEMI STD
ENTEGRIS A300 FOUP
Carrier stage capacity: 10
Info pad A,B: Pin
Info pad C,D: Pin
Fork material: Al2O3
Furnace facilities:
Furnace exhaust connection point: Top connection
Cooling water connection point: Bottom connection
Air intake point: Top
Gas distribution system:
IGS Type: IGS 1.5" W-Seal rail-mount
FUJIKIN IGS System
Tubing bends: <90°C
PALL IGS Final filter
IGS Regulator: CKD
HORIBA STEC IGS MFC Digital
HORIBA SEC-G111 IGS MFC For low flow N2 purge
IGS Press transducer: Nagano
HORIBA STEC LSC-F530 Liquid source vapor system
For ZAC HORIBA STEC TL-2014
Auto refill system TMA: AIR LEQUIDE / CANDI
Auto refill system ZAC: AIR LEQUIDE / CANDI
OP-500H-RE1 Ozone delivery system
Injector O-Ring material: DU353
Gas facilities:
Incoming gas connection point: Bottom connection
Gas VENT Connection point: Bottom connection
Exhaust VENT Connection point: Bottom connection
Gas unit exhaust connection point: Bottom connection
Exhaust:
Vacuum gauge pressure controller: MKS Capacitance manometer (Hot)
Vacuum gauge press monitor 133 kpa: MKS Capacitance manometer (Hot)
Vacuum gauge pump monitor: MKS Capacitance manometer (Hot)
CKD VEC-VH8-X0110 Main valve
VYX-0279-CONT Controller
EDWARDS iXH-1820T Pump
EDWARDS TPU Abatement system
Type: Burning type
Exhaust box: Wide type (1200 mm)
Exhaust O-Ring material: DU353
FNC Power box: 30m
FNC RCU: 30m
Power box RCU: 30m
Power box pump unit: 30m
Power box refill system: 30m
Host communications: Comply with GJG
Equipment host I/F Connection: Power box top HSMS (10Base-T/100Base-TX)
Ingenio
OHT Capability
Load port operation: Lower and upper
PIO I/F Location: FNC Top
PIO Provided by: TEL
HOKUYO DMS-HB1-Z PIO
Carrier ID Reader writer type: RF
CIDRW Lower L/P: Read
CIDRW Upper L/P: Read
CIDRW FIMS: Read/Write
CIDRW: HOKUYO DMS-HB1-Z Series
CIDRW Tag orientation: Vertical
Customized management signals: PT/Water
Interface:
Signal tower model: LCE Series
Signal tower colors: Red/Blue/Yellow/Green
Signal tower location: Front for 10 Stocker (Left)
Front operation panel
MMI and gas flowchart: Gas box and front operation panel Installed
Indicator type: HOKUYO DMS-HB1-Z Series
Operator switch: Operator access / White cover with orange light
Pressure display unit: MPa / Torr
Cabinet exhaust pressure display: Pa
Warning label: Chinese/English
Power:
Power cable input entrance loc: Power box top
Power supply:
3 Phase connection type: Star connection
200/400 VAC, 60 Hz, 3 Phase
2015 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON Telformula ALD High-Kは、高k誘電体の薄膜層を高精度に蒸着するために設計された先進的なエッチングおよび異方性エッチング装置です。このシステムは、高度なTelformula ALD技術を使用して、優れたライン定義と優れたステップカバレッジを提供し、デバイスの歩留まりと性能を向上させます。このユニットは、SiO2、 SiN、 SiC、またはそれらの任意の組み合わせで高性能の誘電層を堆積することができます。手動モードと自動モードの両方で動作し、幅広いエッチング処理を可能にします。また、リアクティブイオンエッチング（RIE）形成により、パターンやライン構造の高精度エッチングを実現しています。TEL Telformula ALD High-Kはバッチ処理用に設計されており、大量の部品や基板に高スループットエッチングを提供します。このツールには、エッチング処理を監視および制御するための強力な新しいツールであるAdvanced Process Control （APC）ソフトウェアが装備されています。このソフトウェアは、エッチングプロセスパラメータのリアルタイム解析を提供し、in-situフィードバック制御を使用して変動を最小限に抑えます。エッチング温度0°C〜350°C、基板温度500°C、エッチング圧力6Torr、エッチング時間5分、複数の送りガスバルブオプションなど、幅広いプロセスパラメータを備えています。モデルはまた、オプションの圧力を提供しています。エッチング中のエッチング圧力とガスの流れを正確に制御する中間フロー（PIF）装置。TOKYO ELECTRON TELFORMULA ALD High-Kは、様々なレジスト材料との互換性を考慮して設計されており、再現可能な高性能エッチング結果のエッチングパラメータを正確に制御できます。その最適化されたプロセスプラットフォームにより、エッチング率が向上し、他のエッチングシステムよりも優れたデバイス歩留まりが得られます。このエッチャーは、ライン幅を0.3µmまで高解像度で均一かつ再現性に優れているため、ライン定義と特徴均一性の高い半導体デバイスの開発に最適です。
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