中古 TEL / TOKYO ELECTRON Formula-1S-H #293647205 を販売中

TEL/TOKYO ELECTRON Formula-1S-Hは、半導体加工に特化したエッチャー/アッシャー装置です。TEL Formula-1S-HはTEL独自のパルスCO2レーザーシステムを搭載したダイレクトヒータイプエッチャー/アッシャーユニットです。高出力で高効率なレーザーにより、エッチング率が高く、結晶損傷が最小限に抑えられます。東京エレクトロンFormula-1S-Hは、基板上に薄膜を均一に蒸着させるだけでなく、非均一な熱伝達をなくし、一貫したエッチング結果を保証する高精度温度制御システムを搭載しています。Formula-1S-Hはまた高度の温度調整および部屋の設計を特色にし、正確で、一貫したアニールおよびエッチングプロセスを保障します。焼きなましおよびエッチングのプロセスの温度は正確に調節することができ、部屋の設計は熱伝達を最小にし、効率的な焼きなましおよびエッチングプロセスを可能にします。温度範囲は容易に調節することができ、部屋の高さは最適のエッチングの高さに調節することができます。また、TEL/TOKYO ELECTRON Formula-1S-Hは、レーザーパラメータとレーザーパワー設定を備えた専用のCO2レーザーシステムを備えており、ユーザーが希望するアプリケーションのプロセスを最適化することができます。レーザーパラメータはアプリケーションに応じて調整可能で、ユーザーは正確なエッチング特性を達成することができます。調整可能なレーザー設定により、エッチングプロセスを最適化して、正確なエッチング深さと深さプロファイルを実現できます。TEL Formula-1S-Hは特許取得済みのCVD層成長技術も備えており、薄層の正確な形成を可能にします。CVD層成長技術は、処理時間を短縮し、スループットを向上させ、プロセス工程数を削減するワンステッププロセスです。CVD層成長技術は、III-V化合物、ニオブ酸リチウム、窒化ホウ素材など多くの異なる材料と互換性があります。TOKYO ELECTRON Formula-1S-Hは、半導体加工に特化した先進的なエッチャー/アッシャー装置です。高出力で高効率なレーザーにより、エッチング率が高く、精密な温度制御とチャンバー設計が可能で、薄膜の均一な蒸着が可能です。調整可能なレーザー設定により、エッチング処理を最適化して精密なエッチング特性を実現し、CVD層成長技術により、処理時間を短縮しスループットを向上させるワンステップ処理を実現します。