中古 TEGAL 901e #75520 を販売中
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ID: 75520
ウェーハサイズ: 4"
Plasma Etcher, rebuilt Cassette to Cassette, Polysilicon / Silicon Nitride
Currently configured for 4" wafers
ENI 1000 Watt 13.56 MHz RF Generator
20 Process recipe capability
Non-friction spatula pick and place wafer transport
Leybold D65 oxygen service pump
Tegal Closed loop temperature controller
Chart recorder for endpoint trace monitoring
DEC Monitor and keyboard
Manuals included
Facility requirements
200-240 VAC selectable (50/60hz) single phase
RF Generator 200-240 VAC selectable (plugs into 901e)
Monitor 115VAC (plugs into 901e)
Chart Recorder 115VAC (plugs into 901e)
Vacuum pump 200-230 VAC 3-phase
Temperature controller 115 VAC
CDA or N2 regulated to 80 +/- 5 psi
N2 regulated 15 to 30 psi
Process gas’s regulated to 15+/- 5psig (Regulators currently installed on table)
O2 clean regulated to 10+/- 5psi
901e Vacuum pump connection KF-40 Flange
901e Cabinet exhaust connection 4” 100 cfm.
TEGAL 901eは、半導体製造業界で重要なツールとなっているベンチトップのプラズマアッシャー/エッチャーです。TEGAL 901 Eは、TEGAL Corporationによって開発された高効率で信頼性の高い機器で、さまざまなエッチングおよびアッシング処理に使用できます。901eは基礎単位、電源、コントローラー、調節可能なサンプルホールダーおよび部屋で構成されます。901 Eの基礎単位は堅いアルミ合金から成り、上のプラテンおよび2つの側面のアクセスのドアを含んでいます。システムの電源は、最大1,000Vの電圧と最大1000mAの電流を使用します。TEGAL 901eは、さまざまなアッシングおよびエッチングプロセスを実行する柔軟性を提供するために、電源を構成することができます。TEGAL 901 Eのコントローラは、直感的なグラフィカルユーザーインターフェイスと診断機器を備えたユニットを簡単にユーザーインターフェイスと制御できます。サンプルホルダーは調整可能で、さまざまなサンプル材料を導入できます。チャンバーは不活性な大気を可能にし、プロセス環境を最大限に制御できます。901eはエッチングにまたは薄膜、金属、ポリマー、半導体および誘電体を含む両方の物質的な表面として使用することができます。この機械は迅速なプロセス時間を提供し、数秒から数分でサンプルのエッチングまたはアッシングを可能にし、完成時に材料に損傷を与えません。結論として、901 Eは高効率で信頼性の高い多機能アッシャーおよびエッチャーです。TEGAL 901eは、プロセス環境と迅速なプロセス時間を正確に制御できるため、半導体製造業界にとって重要なツールです。
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