中古 STS Pro ICP #293605254 を販売中
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ID: 293605254
ウェーハサイズ: 6"
Advanced Oxide Etcher (AOE), 6"
Inductively Coupling Plasma (ICP)
Backside helium cooling
8-Pins clamp
Lip seal
Masks: Si, PR, Metals (Cr, Ti, Ni)
Gases: C4F8, SF6, O2, H2, CF4, (2) Open gas slots
Process pressure: 2-80 mT
Substrate size: 6"
Temperature range:
Platen: -20°C to 120°C
Walls: 100°C
Lid: 120°C
Materials etched:
SiO2
Quartz
Pyrex
Fused silica
Si3N4
Bulk silicon
Capabilities:
2.5 µm on 8-10 µm TEOS
Etch rate: >2000 A/min SiO2, >4:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±3%
5 µm on 3-10 µm SiO2
Etch rate: >3000 A/min SiO2, >7.5:1 selectivity
SiO2: PR
Inter wafer: ±2%
Power supply:
ADVANCED ENERGY Coil: 3000 W, 13.56 MHz
ENI Platen: 1000 W, 13.56 MHz.
STS Pro ICPは、ICP (Inductively Coupled Plasma)アプリケーションに適した高度なエッチャー/アッシャーです。極めて高速なエッチング時間と重要なプロセスパラメータの厳密な制御により、正確で効率的で拡張性の高いエッチング機能を提供するように設計されています。Pro ICPは、12インチx 13インチ(約30。48cm x 33。02cm)のアクティブエッチングテーブルを備えており、エッチングステージのプロセスガスと圧力を制御するために変更されたスリットバルブエッチャーを備えています。エッチングテーブルは、プロセスの正確な制御を可能にするために、フルボトムビューカメラ監視が装備されています。このエッチャーの追加機能は、テーブルトップの「bake-in」機能により、幅広いエッチングプロセスの熱処理を制御できます。STS Pro ICPの中心は、RFジェネレータとICPソースアセンブリです。このアセンブリには、ICPソースを正確かつ再現可能に制御するための負荷マッチネットワークと電動パワーセッタブルコンデンサも含まれています。Pro ICPのプロセスチャンバーはチタン製で、耐久性と効果的なエッチング環境を提供します。ウェーハをチャンバーに配置すると、テーブルトップのいくつかのボタンを押すだけでエッチング処理を開始できます。STS Pro ICPは、マスフローコントローラを備えたプロセスガス供給、メタン/窒素/アルゴンミックス、およびICPソースを正確に調整して負荷と一致させるための可変周波数ドライブも備えています。結論として、Pro ICPは高度で汎用性の高いエッチャー/アッシャーであり、ICP (Inductively Coupled Plasma)アプリケーションに適しています。堅牢な設計、正確な制御、および幅広いエッチング機能により、一般的なエッチングおよび精密エッチングのニーズに最適です。
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