中古 SEZ / LAM RESEARCH RST 201 #9228278 を販売中

SEZ / LAM RESEARCH RST 201
ID: 9228278
ヴィンテージ: 1996
Systems 1996 vintage.
SEZ/LAM RESEARCH RST 201エッチャー/アッシャーは、半導体ウェーハのエッチング、ダイシング、およびスクライビングのプロセス手順を実行するように設計された自動真空装置です。SEZ RST 201システムは、下流のプラズマ源を使用して、幅広い材料を高信頼性、均一性、再現性で処理できます。プロセス部屋はステンレス鋼を使用して造られ、8立方フィートの内部容積があります。アンビエントユニット圧力は、300scmのターボ分子(TMP)ポンプ2個によって10-6 torrで維持され、ポンプ入口全体に圧力差が生じます。LAM RESEARCH RST 201には、材料の積み下ろし時にメインポンプを迂回して、ロードロックチャンバーをすばやく避難させることができるハイブリッドロックマシンも含まれています。さらに、このツールには、化学ソースインジェクタ、4つの異方性エッチモジュール、およびウェハエッチングの粗さをリアルタイムで監視するインラインフォトダイオードモニターも含まれています。RST 201アセットで実現可能なプロセスには、酸化酸化物エッチングとストリップ、酸化ケイ素ストリップ、化学機械的研磨、ディープリアクティブイオンエッチング(DRIE)、ダイシング、デキャップ、スクライブなどがあります。RFプラズマ源を活用することで、クリーンで均一なサイドウォールを実現しながら、高い精度で様々な素材をエッチングすることができます。ケミカルソースインジェクタは、エッチングプロセスに必要なケミカルプリカーソルを提供するのに役立ちますが、4つの異方性エッチングモジュールは、滑らかで角度のあるプロファイルを生成するために必要な横方向のオーバーエッチングを提供します。SEZ/LAM RESEARCH RST 201は、さまざまなウェーハサイズと材料に対応しており、半導体ウェーハのエッチングと加工に最適なツールです。また、ユーザーフレンドリーなグラフィカルユーザーインターフェイス(GUI)も備えており、システムのセットアップと操作を簡素化します。このユニットはCE認定を受けており、優れた精度、均一性、再現性、および低い工具ダウンタイムを提供します。
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