中古 SAMCO RIE-400iPB #293682703 を販売中
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ID: 293682703
ヴィンテージ: 2009
Dry etcher
Reaction chamber Inner diameter: φ 320 mm x φ 37 mm
Viewport (one on the right side)
Lower electrode temperature: Constant temperature circulation device (20°C~25°C) Rubber heater
2-turn coil lower electrode: φ106 mm
Gases: CHF3, O2, Ar, C4F8, SF6
ICP: 13.56 MHz (max 1 kW), bias 13.56 MHz (max 300 W)
Power supply: 200 V, 60 A, 3 Phase, 60 Hz
2009 vintage.
SAMCO RIE-400iPBは、半導体デバイス製造、MEMS(マイクロエレクトロメカニカルシステム)製造、および研究アプリケーションにおける高度なエッチングおよび洗浄プロセス用に設計された汎用性と高性能の反応イオンエッチャー(RIE)/プラズマアッシャー装置です。この最先端のツールは、高均一性と再現性を備えた様々な材料の精密エッチングとプラズマ洗浄のための機能の範囲を提供します。RIE-400iPBの主な特徴は、シリコン、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、金属、誘電体など幅広い材料の高度に制御されたエッチングとアッシングを可能にする高度なプラズマ加工技術です。反応イオンとラジカルを生成する高密度プラズマ源を搭載し、高い選択性とエッチング率で基板表面から材料を除去します。SAMCO RIE-400iPBは、直径200mmまでの基板に対応できる大型基板プラテンを備えた汎用性の高いプロセスチャンバーを備えています。これにより、複数のサンプルまたは大面積の基板のバッチ処理が可能になり、生産性とスループットが向上します。また、プロセス条件を最適化し、基板表面全体の均一性を確保するための高度な温度制御およびガスフロー管理システムも備えています。エッチング工程でプラズマ密度とエネルギーを正確かつ安定に制御できる最先端のRF電源を搭載しています。これにより、プロセスパラメータを微調整して、目的のエッチプロファイル、選択性、サイドウォールのパッシベーションを実現できます。このツールはまた、プロセス化学をカスタマイズし、特定のエッチング化学を達成するための複数のガス入口を備えた反応ガス供給資産を備えています。エッチング機能に加えRIE-400iPB、フォトレジスト、ポリマー残留物、基板表面からの汚染物質を除去するためのプラズマアッシャーとしても機能します。このモデルには専用のアッシングモードが装備されており、基材を損傷することなく、有機フィルムを穏やかかつ効率的に除去することができます。この機能により、SAMCO RIE-400iPBは、エッチング後の洗浄および後工程のための基板の準備のための汎用性の高いツールとなります。この機器は直感的なソフトウェアインターフェイスによって制御され、ユーザーはリアルタイムでエッチングとアッシングのプロセスを簡単にプログラムおよび監視できます。このソフトウェアは、さまざまな材料タイプとプロセス要件に対応するために、幅広いプロセスレシピとパラメータ設定を提供します。また、緊急シャットダウンプロトコルやガス漏れ検知システムなどの高度な安全機能を搭載し、運転中のオペレータや機器の安全性を確保しています。全体として、RIE-400iPBは半導体およびMEMS製造における精密エッチングおよびプラズマ洗浄アプリケーションのための高度で信頼性の高いツールです。高性能、柔軟なプロセス制御、ユーザーフレンドリーなインターフェースを備えたSAMCO RIE-400iPBは、高品質で反復可能なプラズマ処理結果を必要とする研究および生産環境に最適なソリューションです。
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