中古 SAMCO RIE-200iP #9244966 を販売中

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ID: 9244966
ウェーハサイズ: 6"-8"
ヴィンテージ: 2006
ICP Etcher, 6"-8" Wafer transfer chamber Tornado ICP high density plasma source SAMCK'S Multi-zone exhaust system Metal etching process kit for repeatable metal etching Recipe storage and data logging Footprint Reaction gas Produces stable and high density plasma Multi-port vacuum system ESC With active wafer temperature control (Helium backside cooling) Use non-anisotropic etching of various bismuth films 2006 vintage.
SAMCO RIE-200iPは、プラズマにさらすことで基板表面から材料を除去するために使用されるエッチャーまたはアッシャーです。プラズマは無線周波数(RF)電源によって生成され、基板を保持する原子炉室を作成するために使用されます。基板を電極に置き、RF電源を電極に接続します。その後、RF電源を使用して、プラズマ原子炉室内のガスをイオン化する強烈な電界を作り出します。これは、基板の表面をエッチングまたはアッシャーするために使用される高エネルギーのプラズマを生成します。RIE-200iPは、SF6、酸素、窒素など、さまざまなガスを使用することができます。これらのガスは、シリコン、石英、金属、さらには有機材料をエッチングするために使用できます。エッチングまたはアッシング処理は、0。1〜150 mbarの圧力で行われ、最大800°Cの温度に達することができます。これにより、ユーザーは表面処理操作を実行する際に高精度を達成することができます。RFジェネレータは、10kHzから40MHzまでの周波数、および0。1から300ワットまでの電力レベルを生成することができます。これにより、ユーザーはエッチングプロセスを完全に制御し、可能な限り最高の表面仕上げを実現できます。エッチングやアッシングに加え、PECVDやスパッタコーティングなどの成膜にもSAMCO RIE-200iPを使用できます。これは、エッチングまたはアッシングプロセスを作成するために使用されるガスに加えて、プラズマ原子炉室内に2番目のガスを導入することによって行われます。これにより、基板表面を薄い層でコーティングすることができ、さまざまな用途に使用できます。RIE-200iPはいろいろな適用に使用することができる信頼でき、耐久機械です。ユーザーフレンドリーなインターフェースにより、簡単なセットアップと操作が可能で、エッチングやアッシングプロセスに最適です。また、高精度で汎用性に優れ、様々な素材を使用し、エッチングやアッシング加工において高い精度を実現します。これにより、幅広い表面処理作業に最適です。
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