中古 PVA TEPLA / TECHNICS Plasma Excitor 3000-1 #62131 を販売中

PVA TEPLA/TECHNICSプラズマエキサイタ3000-1は、半導体デバイスの製造に使用するための高性能エッチャーおよびナノ材料アッシャーです。最先端の誘電バリア放電（DBD）ソースを備え、クリーンで効率的で低コストのエッチング処理を提供します。TECHNICS Plasma Excitor 3000-1は平行プレートプラズマ源を使用しており、大きな基板領域での高出力、均一なエッチング、および小さな構造のクリーンで精密なエッチングを実現しています。また、高度なリモート制御装置を備えており、エッチングや成膜プロセスの高度なパターン化を可能にします。PVA TEPLA Plasma Excitor 3000-1のプラズマ源は、ナノスケール材料をエッチングして堆積させる正確で効率的な方法を提供します。リモートコントロールシステムには、エッチングプロセスのリアルタイム監視を可能にするカメラが含まれており、ユーザーは特定のアプリケーションのエッチングパラメータを微調整することができます。複雑なフォトマスク、マイクロ流体デバイス、その他の繊細な半導体製品の製造に最適です。プラズマエキサイタ3000-1は、最大200nm/minのエッチング速度を実現し、シリコン、化合物半導体、金属などの幅広い材料をエッチングすることができます。PVA TEPLA/TECHNICS Plasma Excitor 3000-1は、エッチング機能に加えて、高度なアッシングユニットを備えており、ナノ材料を基板に素早く正確に堆積させることができます。アッシングマシンは、アルゴンなどの不活性ガスパケットを駆動して、精密で均一なアッシングプロセスを生成します。このプロセスは非常に精密で効率的であり、ナノ材料を基板に迅速かつ確実に堆積させるのに理想的です。結論として、TECHNICS Plasma Excitor 3000-1は、最先端のDBDソースと高度なリモートコントロールツールを備えた高度なエッチングおよび成膜プロセスの高度なパターン化を可能にする先進的なエッチングおよびナノマテリアルアッシャーです。シリコン、化合物半導体、金属など多種多様なエッチングが可能で、最大200nm/minのエッチングが可能です。また、ナノマテリアルを基板に素早く正確に堆積させるための高度なアッシング資産を備えています。