中古 PSK DAS 2000 #9249688 を販売中

PSK DAS 2000エッチャー/アッシャーは、低コストで信頼性が高く、使いやすい生産環境で様々な基板に合金および複合膜を堆積するように設計された高度なスパッターエッチャー/アッシャーです。PSK DAS-2000は、金属、半導体、その他の材料の工業用スケールエッチング/アッシュニングに最適です。この機械は、直流（DC）スパッタリングプロセスを使用して金属の移動を排除し、低コストの生産環境で長期間にわたって高い蒸着率を発揮します。DAS 2000には、エッチング/スパッタリングチャンバーとデポジットチャンバーの2つのメインチャンバーが付属しています。エッチングおよびスパッタリングチャンバーには、コンピュータを使用して調整できる温度および圧力制御装置が内蔵されており、より正確なエッチング/スパッタリングプロセス制御が可能です。このエッチャー/アッシャーのカバーガスシステムは、クリーンで乾燥した空気と窒素の導入を可能にし、最適なエッチング/スパッタリングプロセスを保証します。PSKには、ユーザーがプロセス全体のパラメータとフィードバックを監視できる簡単なグラフィカルユーザーインターフェイス（GUI）を備えたコンピューター制御オプションも含まれています。エッチャー/アッシャーDAS-2000、プログラム可能な放電プロセスを使用して、金属や化合物を基板に堆積させます。マシンの特許取得済みユニットは、材料を基板に片側から堆積させ、反対側から余分な堆積物を取り除くデュアルマグネトロン板を使用しています。この方法は、優れた表面均一性と改善されたステップカバレッジを可能にします。PSK DAS 2000は、低温低圧（LTLP）モードを備えており、薄膜の迅速な沈着を可能にし、高収率を必要とする研究および生産アプリケーションに最適です。この低温低圧モードにより、より長い時間でより厚いフィルムをより大きな表面積に堆積させることができます。PSK DAS-2000エッチャー/アッシャーは、1〜2％のプロセス再現性が印象的です。DAS 2000のプラズマエッチングプロセスは0。5nmの決断に制御することができプロセス温度は± 5°Cまで正確です。DAS-2000はまたエネルギー効率が高く、すべてのプロセスが最適化されることを保障するのに高度のエネルギー管理機械を使用します。また、エッチングチャンバー内の空気が清潔で汚染物質がないことを保証する専用のエアフィルタリングツールも装備されています。全体として、PSK DAS 2000は高精度で再現性のある結果を提供する高度なエッチャー/アッシャーです。直感的なインターフェイスと堅牢なビルド品質により、高い収率と優れた表面均一性が不可欠な研究および産業用途に最適です。PSK DAS-2000は、卓越した性能と低コストで、あらゆる生産ニーズに確実に対応できるエッチング/アッシャーです。