中古 PLASMATHERM SLR 770 RIE #293753769 を販売中

PLASMATHERM SLR 770 RIEは、精密で効率的な微細加工およびナノ加工プロセス用に設計された先進的な反応イオンエッチング（RIE）装置です。プラズマ加工装置のリーディングメーカーであるPlasma-Thermが開発したSLR 770 RIEは、幅広い材料や基板のエッチングおよびアッシング用途において比類のない性能を提供します。この最先端のツールは、革新的な技術を統合して、半導体デバイス製造、MEMS製造、およびその他の研究開発アプリケーションで高品質の結果を提供します。PLASMATHERM SLR 770 RIEの主な特徴の1つは、多目的なプロセス機能であり、ユーザーは高い選択性と均一性を持つさまざまな材料をエッチングすることができます。このシステムは、反応性ガス、プラズマ化学、およびRFパワーを組み合わせて、エッチングの深さとフィーチャーのサイズを正確に制御する異方性エッチプロファイルを作成します。これにより、微小およびナノスケールのレベルで基板をパターン化および構造化し、サブミクロン分解能と高いアスペクト比の特徴を実現するのに理想的です。SLR 770 RIEには、プラズマ密度とイオンエネルギーを正確に制御する高出力RFジェネレータが搭載されており、ユーザーはエッチングプロセスを特定の要件に合わせて調整することができます。また、レシピ駆動のプロセス制御を備えた洗練されたガス供給機を備えており、プロセスパラメータの容易な最適化と結果の再現性を実現しています。さらに、PLASMATHERM SLR 770 RIEのチャンバー設計およびポンピングツールは、高いプロセス安定性と低粒子汚染を保証し、一貫した信頼性の高いエッチング性能を実現します。SLR 770 RIEは、プラズマの生成と制御において、ICP（誘導結合プラズマ）や電子サイクロトロン共鳴（ECR）などの先端技術を採用し、安定した均一なプラズマ放電を実現しています。これにより、反応性ガスを効率的にイオン化し、基板表面のイオンフラックスとエネルギー分布を正確に制御することができ、異方性エッチングプロファイルとサイドウォールの損傷を最小限に抑えることができます。また、エッチングプロセスをリアルタイムで監視し、正確なプロセス制御とエンドポイントの決定を保証するための高度なエンドポイント検出技術も組み込まれています。PLASMATHERM SLR 770 RIEには、光放射分光法（OES）、質量分析法、楕円測定法などの高度な診断およびモニタリングツールが搭載されており、プラズマ化学およびエッチング過程をその場で特徴付けることができます。これらの機能により、ユーザーはプロセスパラメータを最適化し、問題のトラブルシューティングを行い、複数のウェーハおよびプロセス実行にわたって一貫したエッチング結果を保証できます。また、直感的なソフトウェア制御とデータロギング機能を備えたユーザーフレンドリーなインターフェースを備えており、あらゆるエクスペリエンスレベルのユーザーに簡単な操作とデータ分析を可能にします。全体的に、SLR 770 RIEは、優れた性能、汎用性、および幅広いマイクロファブリケーションおよびナノファブリケーション用途での使いやすさを提供する最先端の反応イオンエッチング装置です。プラズマシンSLR 770 RIEは、高度なプロセス能力、プラズマパラメータの精密な制御、堅牢なチャンバー設計により、半導体プロジェクトやMEMSプロジェクトで高品質のエッチングとアッシングの結果を達成するための研究者、エンジニア、メーカーにとって不可欠なツールです。