中古 PLASMA ETCH MK-II-1 #9187172 を販売中

ID: 9187172
ヴィンテージ: 2005
Plasma cleaner / Etcher Electrode configuration, Horizontal planar: 8 Levels Process temperature control: 125°F to 300°F ±5°F R.F Generator & automatching network: 2000 Watts@13.56 MHz Mass flow controller (2 Channels): 0-2000 CC/min Vacuum gauge, capacitance monometer: 0-10 Torr Touchscreen control system included Vacuum pump, multiple stage, oxygen service: 355 / 30 CFM Chilled water recirculate, closed loop : 20°C ±0.5°C 2005 vintage.
プラズマエッチングMK-II-1は、半導体デバイス製造に使用される基板の精密エッチング、アニール、または表面処理用に設計されたエッチャー/アッシャーです。このエッチャーは、さまざまな材料で高解像度で多様なパターンを作成することができます。これは、さまざまな材料除去技術のための汎用性の高いツールです。MK-II-1の中心には、最大5000ワットの調整可能な電力を持つ強力な誘導結合無線周波数(RF)ソースがあります。このRFの源は精巧な部屋に結合されます、その主要部分はプロセスエリアを構成する調節可能な棚が付いている上部および下の電極およびデッキの組です。プロセスエリアには、絶縁ガスインレット、ガス排気用コンセント、自動シャッター、基材サポートアセンブリが装備されています。誘導結合RF源に加えて、PLASMA ETCH MK-II-1はマッチングネットワークも備えており、動作中の一貫した出力電力を実現します。また、プロセス領域への反応ガスの迅速かつ効率的な配信を確保するための可変ガス流量装置が含まれています。このシステムは、乾燥ガスを送達するための高圧側と、液体を送達するための低圧側で構成されています。MK-II-1には、多くのユーザーフレンドリーな機能も含まれています。GUIインターフェースは学習と使用が簡単で、エッチング、アニール、および表面処理のためのさまざまなレシピでプログラム可能です。また、エッチング用の3次元ユニットを備えており、非平面表面のパターンを正確にエッチングすることができます。PLASMA ETCH MK-II-1には、RF電源が動作している間にドアが開くのを防ぐドアインターロックマシンや、動作中に蓄積する静電気を含む接地チャンバーなど、多くの安全機能があります。また、アラームツールとRFチャンバ内の温度を監視および制御する温度保護アセットも含まれています。最後に、MK-II-1は耐久性の高いモデルです。その部品はステンレス鋼で構成されており、エッチング工程の過酷な条件に耐えることができます。装置はまた、事実上メンテナンス不要の長い耐用年数を持っています。優れた性能と信頼性により、PLASMA ETCH MK-II-1多くのエッチングおよび表面処理アプリケーションに最適です。
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