中古 NEXTRAL NE 100 #293828894 を販売中

NEXTRAL NE 100
ID: 293828894
Etcher Mask: Resist, SiO2, Si3N4, Metal Wafer Holder, 4" HF Generator: 300 W at 1356 MHz Gas Lines: SF6, CHF3, O2 Temperature range: 5°C to 40°C End point detector: Laser interferometry (670 nm).
NEXTRAL NE 100は、先進的な半導体製造プロセス向けに設計された最先端のエッチャー/アッシャー装置です。この高度なツールは、プラズマと化学プロセスを組み合わせて、ウェーハなどの基板表面の汚染、残留物、酸化物を効果的に除去し、最適なデバイス性能と信頼性を確保します。NE 100は、精密で均一なエッチング/アッシング結果を提供するために最先端の技術で設計されており、高性能で一貫した処理能力を必要とする半導体製造設備にとって不可欠なツールです。NEXTRAL NE 100は、小規模な研究開発サンプルから本格的な生産ウエハまで、幅広いウエハサイズに対応した汎用性の高いチャンバー設計を特徴としています。このシステムには、複数のガス注入ポートと洗練されたガス供給ユニットが装備されており、チャンバー内のプロセス化学、温度、圧力を正確に制御できます。これにより、ユーザーはエッチング/アッシングプロセスパラメータを調整して、特定のアプリケーションに必要な結果を達成し、最大限のプロセス柔軟性と再現性を確保できます。NE 100の重要な特徴の1つは、高周波RF(無線周波数)電源を使用してチャンバー内に非常に反応性の高いプラズマ放電を作成する高度なプラズマ生成マシンです。このプラズマは、ウェーハ表面の汚染物質と残留物の化学結合を効果的に分解し、物理的なスパッタリングと化学反応メカニズムを組み合わせて除去を容易にします。このツールのプラズマ源は、ウェーハ表面全体にわたって安定したプラズマ密度と均一性を確保するために設計されており、バリエーションを最小限に抑えた精密なエッチング/アッシング結果が得られます。NEXTRAL NE 100は、強力なプラズマ生成機能に加え、最先端のガス流量制御アセットを採用しており、チャンバー内に複数のプロセスガスを正確に導入・混合することができます。この機能により、ユーザーは特定のアプリケーションに合わせたカスタムプロセスケミストリーを作成でき、プロセスの柔軟性と制御性が向上します。このモデルのガス流量制御装置は、ガスの効率的な利用と配分を保証し、ガスの消費を最小限に抑え、プロセス効率を最大化します。NE 100には、エッチング/アッシングプロセス中にウェーハ温度を調整する高度な温度制御およびモニタリングシステムが装備されています。この精密な温度制御は、温度変動がプロセスのエッチング速度、選択性、および均一性に影響を与える可能性があるため、一貫した均一な処理結果を達成するために不可欠です。システムの温度制御ユニットは、プロセス全体にわたって安定した均一なウェーハ温度を維持し、最適なプロセス性能と再現性を確保するように設計されています。さらに、NEXTRAL NE 100は、ユーザーフレンドリーなインターフェイスと直感的なソフトウェアコントロールマシンを備えており、エンドユーザーの操作と監視タスクを合理化します。このツールのソフトウェアは、プロセスレシピの簡単なプログラミング、主要なプロセスパラメータのリアルタイム監視、プロセスの最適化と品質管理のためのデータロギングを可能にします。さらに、この資産には、半導体製造環境での信頼性と安全性を確保するための高度な安全機能と診断ツールが装備されています。結論として、NE 100は、精密半導体製造プロセスの高度な機能を提供する最先端のエッチャー/アッシャーモデルです。NEXTRAL NE 100は、最先端のプラズマ生成、ガス流量制御、温度調節、およびユーザーフレンドリーなインターフェースにより、エッチングおよびアッシング用途向けに信頼性の高い高性能ソリューションを提供します。
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