中古 MATRIX 205 #9201811 を販売中
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ID: 9201811
ウェーハサイズ: 6"
Plasma asher / descum dry clean system, 6"
Including ranging:
50mm up to 150mm
The system optimizes vital device parameters:
Enhanced gate oxide integrity
Reduced threshold and capacitance voltage shifts
Reduced contact resistance / Oxidation
Photoresist Stripping:
High dose implant
Post-polysilicon etch
Post-metal etch
Post-oxide etch
Controlled resist removal:
Post-develop descum (pre-etch)
Dry / wet process capability
Uniformity capability (<5% 1σ)
GaAs, InP wafer strip and descum
Thin film head resist cleaning
Opto-electronic devices cleaning
MEMS
Single wafer multi-Step Processing:
Precisely controlled & repeatable stripping of each wafer
(3) programmable steps + overstrip
Capable of long process times for exceptional control
High throughput:
35 WPH on 150mm substrate
Aluminum Wafer Chuck:
Fast
Precise
Uniform removal of resist
Low Particles:
0.1 particles (>0.3μm) added per cm2
Proven System Performance:
700 System ones in use worldwide
95% uptime
Proven Reactor Design:
Closed-loop temperature control
Stable range for strip:
150°C – 250ºC (+/-5°C)
For descum:
70°C – 150ºC .
MATRIX 205は、複雑な形状、パターン、画像をウェハ表面に作成するために、マイクロエレクトロニクス業界で一般的に使用されるエッチャー/アッシャーです。高真空システムを搭載し、微細な回路やその他の形状を正確にエッチングすることができ、非常に高解像度のイメージングが可能です。デバイスを使用することで、クリーニング、平面化、エッチング後のクリーニングなど、さまざまなタスクを実行することに加えて、線、円弧、ポリゴン、円などのさまざまなサイズの形状をエッチングすることができます。このデバイスは、極低温ポンプを備えており、超高真空とエッチングの均一性を提供するイオンソースを提供します。エッチング工程は電界によって駆動され、通常は円筒形のチャンバーで生成されます。エッチングパターンの形状とサイズは、エッチング処理に使用されるガスの種類と、イオン源を供給するために使用される電流と電圧によって決定されます。このデバイスには、真空チラー、ホルダー、ビューポートも含まれており、0。5ミクロンまでのライン幅を生成することができます。エッチングとクリーニングプロセスは非常に効率的で、通常完了までに約5分かかります。エッチングパターンの精度は1ミクロン未満です。さらに、205は複数のエッチングタスクを同時に実行することができ、3つ以上のエッチングステップを同時に実行することができます。つまり、エッチング工程を手動で変更することなく、複雑な回路を素早く生成することができます。さらに、このデバイスにはモニターと診断システムが内蔵されており、即座にフィードバックを提供し、発生する可能性のあるプロセスの問題をトラブルシューティングすることができます。MATRIX 205は信頼性が高く、使いやすく、リーズナブルな価格で提供されています。マイクロエレクトロニクス業界で複雑なパターン、回路、画像を作成するための理想的なツールです。
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