中古 LAM RESEARCH / ONTRAK TCP 9400 SE #9203958 を販売中

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ID: 9203958
ウェーハサイズ: 8"
Etcher, 8" With cassette to cassette transport Model 9408 includes Rainbow platform Ceramic free chamber with waferless auto clean (WAC) Single chamber stand-alone version LEYBOLD HERAEUS TURBOVAC 1000C Turbo-molecular vacuum pump Inductively coupled source (TCP) ESC 9400 Environmental requirements: Temperature: 22 ± 2°C Humidity: <50 % Vibration sensitivity: Slight Thermal output (BTU/Hr): Carrier by water: 9400 Carrier by exhaust: 8400 Dispersed to environment: 20,000 Total output: 38,000 RF Generator: Carrier by exhaust: 5000 Dispersed to environment: 3000 Total output: 8000 Power requirements: 208 VAC, 50/60Hz, 3 Phase, 80/63Amps (5) Conductors Type: Wye Receptacle required: Hardwired CE Marked.
LAM RESEARCH/ONTRAK TCP 9400 SEは、半導体ウェーハ処理用に全自動の片面エッチャー/アッシャーです。このユニットは、優れた加工制御、高い生産歩留まり、および幅広いエッチングおよびアッシング用途を提供するように設計されています。このエッチャー/アッシャーは、メインチャンバーと加熱された圧力制御プラズマ源、および独立した基板バイアス、温度および圧力制御で構成されています。エッチャー/アッシャーには、加工中に基板の表面を監視するために使用される精密粒子光学顕微鏡も装備されています。チャンバー容量は200 mm (8インチ)のウェーハピースまたは90 mm (3。5インチ)のフルウェーハです。ONTRAK TCP 9400 SEは、柔軟性、信頼性、再現性、精度に優れた多機能プロセスモジュールを備えています。洗練された制御システムにより、非活動金属と反応半導体材料の両方を1つのツールで正確にエッチングおよびアッシングできます。非常に薄い半導体デバイスから厚い構造まで、幅広い表面をエッチング・アッシングすることができます。さらに、このユニットは、高真空プラズマエッチング/アッシングと低圧プラズマエッチング/アッシングの両方のために設計されています。エッチャー/アッシャーは、プロセスを完全に最適化できるように、正確なプロセス制御と優れた安定性で設計されています。精密なマニピュレータにより、エッチングまたはアッシング時にウェーハを正確にスキャンし、実際のエッチング速度を正確に監視できます。エッチャー/アッシャーは、半導体基板のトレンチ形成を再現することも可能です。LAM RESEARCH TCP 9400 SEは、高速マルチプロセスおよび現場洗浄機能により、ウェーハの損傷を優れた保護を提供します。精密なマニピュレータはまた、重要な構造の均一な処理とチャンバー全体の正確な熱接触を保証します。さらに、統合されたレーザー回折診断の高効率は、正確なプロセス制御と分析を可能にし、ほこりの粒子汚染を排除します。全体として、TCP 9400 SEは高性能エッチャー/アッシャーであり、幅広い半導体ウェハ構造に対して精密で信頼性の高いエッチングおよびアッシングを提供します。このユニットは、エッチングとアッシングのプロセスを正確に制御するだけでなく、繰り返し可能な性能と優れた歩留まりを実現するように設計されています。また、高真空・低圧プラズマ加工用にも設計されており、半導体用途に最適なソリューションです。
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