中古 LAM RESEARCH / ONTRAK Kiyo 45 #9298320 を販売中

LAM RESEARCH / ONTRAK Kiyo 45
ID: 9298320
ヴィンテージ: 2011
System 2011 vintage.
LAM RESEARCH/ONTRAK Kiyo 45は半導体材料の制御エッチング用に設計されたリアクティブイオンエッチャー(RIE)です。強力なプラズマジェネレータと真空ポンピングシステムにより、プロファイルを精密に制御した高アスペクト比エッチングが可能です。ONTRAK Kiyo 45には、エッチプロファイルとエッチング速度を精密に制御するための単一の調整可能な多軸電極が装備されています。エッチングチャンバーはステンレス製で、プラズマエッチングプロセスの高真空および熱循環に耐えるように設計されています。LAM RESEARCHキヨ45は、誘導結合プラズマ発生器を備えた反応チャンバーを採用しています。このプラズマ発電機は、高エネルギー、低真空、プラズマ環境を生成し、優れた選択性と高い厚さのエッチング速度でエッチングに必要な反応種の形成を可能にします。プラズマジェネレータ、真空ポンプ、電源を搭載しており、シングルステップ、マルチステップレシピなど、いくつかの標準的な調理モードでエッチング処理を行うことができます。LAM RESEARCH/ONTRAK Kiyo 45は、トリフルオロエタノール(TFE)や3つのフッ化炭化水素(TFE、 CF4、 SF6)などの標準的なエッチング化学物質で単層または多層基板をエッチングするために動作することができます。ONTRAK Kiyo 45では、カスタムで最適化されたエッチングレシピをユーザーがプログラミングし、より複雑なエッチングプロセスを実現します。湿式と乾式の両方のクリーンプロセスが可能で、チャンバーの清潔度が高く、背景汚染が低減されます。LAM RESEARCH Kiyo 45の中心には、実績のある多軸電極(MAE)設計があります。MAEは、要求の厳しい半導体基板の高速で異方性の高いファインラインエッチングパターンに最適化されたKiyo 45独自の機能です。MAEは完全にチューニング可能な電極で、精密エッチング制御を提供し、調整可能な電極を備えているため、より高いアスペクト比とより複雑なエッチングパターンを可能にします。LAM RESEARCH/ONTRAK Kiyo 45は、柔軟なプロセスを実現し、柔軟な環境での運用を可能にします。高度に自動化されており、プロセスの完全なトレーサビリティのために、さまざまなデータ収集、分析、およびロギング機能をサポートしています。ONTRAK Kiyo 45には、プロセス制御と監視のためのユーザーフレンドリーなグラフィカルユーザーインターフェイス(GUI)も装備されています。要するに、LAM RESEARCH Kiyo 45は、ドライエッチングとウェットエッチングの両方で優れた選択性と高エッチング率を備えた要求の厳しい半導体材料の精密エッチング用に設計されています。高度なMulti-Axis Electrode (MAE)とプラズマジェネレータシステムは、調整可能な電極を使用した非常に異方性の微細なラインエッチングパターンを可能にし、高いアスペクト比と複雑なエッチングパターニングを可能にします。ユーザーフレンドリーなグラフィカルユーザーインターフェイス(GUI)とプロセスの柔軟性により、要求の厳しい半導体材料のエッチングに最適です。
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