中古 LAM RESEARCH IGS #9157990 を販売中

LAM RESEARCH IGS （Inductively-Copled Plasma Reactive Ion Etcher/Asher）は、半導体産業の用途向けに設計された先進エッチング装置です。LAM Pulsed Plasma Reactive Ion Etching （PPP-RIE）技術をベースにしており、有害物質を追加する必要なく、高速で高精度なエッチング処理が可能です。IGSエッチャー/アッシャーは、完全に密閉されたチャンバーを備えており、ユーザーは正確な速度、深さ、および横方向の制御を実現しながら、幅広いエッチング処理を利用することができます。LAM RESEARCH IGSシステムは、強力な発電プラットフォームを使用して、無電極誘導結合プラズマ（ICP）反応チャンバーを生成します。この高電圧ジェネレータは、プラズマ層を正確に制御するために、アクティブ電磁石と調整可能な電圧と電流レベルを備えています。低温高密度プラズマ層を生成し、従来のエッチング工程に比べてエッチング時間を短縮します。IGSユニットには、ガス分配シャーシに接続されているいくつかの独立したガス源が含まれています。これらのガスを混合してチャンバーに供給することで、複数のエッチング処理を同時に行うことができます。LAM RESEARCH IGSマシンの追加機能は、リアルタイムのプロセス最適化を可能にする統合された最適化ツールです。この最適化アセットは、エッチングチャンバーとプロセスハードウェアにあるさまざまなセンサーと、特殊なソフトウェアを使用してエッチング工程を継続的に監視します。この緊密に統合されたモデルは、エッチングとアッシング操作が期待どおりに進行していることを確認するのに役立ち、ユーザーが必要に応じて修正調整を行うことができます。多機能IGSエッチャー/アッシャーは、MEMS、 MEMSセンサー、ナノテクノロジー、マイクロファブリケーション、バイオメディカルデバイス、オプトエレクトロニクス、マイクロエレクトロメカニカルシステム（MEMS）、マイクロ回路などの幅広いアプリケーションに適しています。その先進的な機能と機能により、半導体産業にとって最高のエッチング装置です。