中古 LAM RESEARCH EOS #293638918 を販売中

LAM RESEARCH EOS
ID: 293638918
Etchers.
LAM RESEARCH EOSは、ディープリアクティブイオンエッチング(DRIE)とシリコンエッチングに特化したエッチャー/アッシャーです。この先進的な装置は、ドライエッチングプロセスの精度と再現性を確保するために、最新の技術で設計されています。モジュラー設計による幅広いエッチングオプションを提供し、最適なプロセス性能とプロセス開発のスケーラビリティのためのシステムのカスタマイズを可能にします。EOSは、最大13MHzまで動作する可変周波数RFソース、可変流量機能を備えた独立した配信チャネル、および可変バイアス電圧および処理期間用のマルチバイアスコントローラで構成されています。MEMS、 CMOS、およびSilicon-on-Insulator (SOI)などのさまざまな用途に、一貫した高品質のエッチング結果を提供します。LAM RESEARCH EOSは、従来のリバースフロー、反射エッチング構成で構成されており、高速で効果的なエッチングを提供する平面バックウォールを備えた高度なケージデザインを備えています。EOSは、特許取得済みの自己整列マウントと基板アジャスターを備えており、エッチングチャンバー内の最適な平面に基板を配置します。これにより、各基板と層が均一な治療を受け、手動による介入を排除することができます。さらに、システムにはRFキャビティが内蔵されており、立った波の問題を排除し、エッチングプロセスの変動性を低下させます。LAM RESEARCH EOSの高度なプロセス制御および監視機能は、再現可能な結果を保証するために、ユーザーにトータルプロセス制御と自動化を提供します。このコントローラを使用すると、各エッチングチャンバのレシピを個別にプログラムして監視することができます。定常モードとパルスモードのエッチングは、複数のチャンバー操作と同様にプログラムすることができます。全体的に、EOSエッチャー/アッシャーは、多くのエッチング用途で再現可能な結果を保証するために、高度な技術を搭載した高精度のデジタル制御エッチャーです。LAM RESEARCH EOSは、可変周波数RFソースとマルチバイアスコントローラを活用して、ユーザーにトータルプロセスオートメーションを提供し、カスタマイズされたプロセス開発を可能にします。セルフアライニングマウントや基板アジャスター、制御されたRF分布、複数のチャンバ操作を実行できるなど、高度な機能を備えたEOSは、高精度なエッチングプロセスに最適なソリューションです。
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