中古 LAM RESEARCH Alliance A4 #9195947 を販売中

LAM RESEARCH Alliance A4
ID: 9195947
Strip process module Model no: LAM 2002-U.
LAM RESEARCH Alliance A4は、様々な半導体デバイスを製造するための高度なエッチングソリューションを提供するために設計されたエッチャー/アッシャー装置です。このシステムには、2つの独立して制御可能なプラズマ処理チャンバ、平面ソースを含むメインチャンバー、およびその場でのクリーニングおよび/または追加のエッチング処理に使用される補助チャンバーが装備されています。平面ソースは、プラズマ密度の優れた均一性を提供し、高精度で再現性のある半導体デバイスの正確なエッチングを可能にします。さらに、このユニットには反応冷却チャンバが装備されており、エッチング工程中の最適な熱制御を保証します。アライアンスA 4は、ウエハ表面に均一なプラズマ密度を作り出すことができる独自の高密度プラズマ源を利用しています。これにより、エッチング中にウェーハ表面全体にプラズマが到達するため、高いアースエッチングと高いウェーハ均一性が得られます。さらに、LAM RESEARCH Alliance A4は、特許取得済みのマスフローコントローラ技術であるiVPD™ MassFlow™を使用して、プロセスガスを調節し、ウエハ表面へのエチャントの分布を最適化します。これにより、エッチング工程全体で正確な材料エッチング速度と正確な厚さ制御が保証されます。Alliance A4はまた、ウェーハをメインチャンバーと補助チャンバーの間に輸送し、クリーニングと追加のエッチング処理を行う統合ウェーハ搬送機を備えています。補助チャンバーには、2つ目の高密度エッチング源と追加の周波数ソースが装備されており、ウェハの追加エッチング、クリーニング、またはプライミングに使用できます。統合された搬送ツールは、ウェーハの正確なアライメントと最適なウェーハ処理を保証し、一貫して高品質のエッチング性能を実現します。LAM RESEARCH Alliance A4は、幅広いプロセス要件を満たすように設計されており、深い反応性イオンエッチング(DRIE)、プラズマエッチング、表面パッシベーションなど、さまざまなエッチング用途に適しています。さらに、高度なプロセスモニタリング、RCD (Remote Chamber Diagnostics)、リアルタイムフィードバック付きRFパワーモニタなど、さまざまな高度なプロセス制御機能を備えています。これらの高度な機能を組み合わせることで、最大限のプロセス制御と信頼性の高い処理性能を実現します。
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