中古 LAM RESEARCH 853-025083-001 #293641757 を販売中

LAM RESEARCH 853-025083-001は、半導体デバイス製造に使用されるエッチャー/アッシャーです。様々な基材をパターン化することが可能な多室高密度プラズマエッチャーです。853-025083-001は、独立した無線周波数ソースを備えた4つの処理チャンバを備えており、各チャンバで同時にエッチングすることができます。各チャンバーは、ウェーハを迅速に処理するための高密度プラズマを生成することができます。LAM RESEARCH 853-025083-001は、双方向フロントロードロックチャンバーを介して、便利なメンテナンスアクセスを提供します。さらに、新しいガス供給装置は、正確なエッチングパラメータのための正確なガス流量を生成します。853-025083-001は、プラズマエッチングプロファイルを最小限に抑える統合エッジバイアス技術を備えた高度なエッチングシステムです。改良されたRFイオナイザーは、ウェーハ全体の均一なエッチング速度に高密度プラズマを提供します。Plasmalab®電源ソース管理は、エッチング結果を最適化するために基板間のエッチングパラメータを変更する柔軟性を提供します。同軸式シャワーヘッド設計により、均一なエッチング結果を得るためにイオン化ガスを攪拌します。さらに、2次元プロセス状態検証ユニット、リアルタイムエンドポイント検出、および温度制御により、機械の性能が向上します。LAM RESEARCH 853-025083-001には、データの保存、結果のレビュー、プロセスパラメータの最適化、グループのレシピの変更、またはツールから別のツールへの転送に使用できる自動コンピュータインターフェイスが含まれています。853-025083-001は、有害プラズマや有害物質から人員や環境を保護するフローティングインターロックツールやプロセス安全ハウジング設計などの安全機能を備えています。LAM RESEARCH 853-025083-001は、ウェーハ製造および半導体デバイス製造に使用するために設計された高度なエッチング資産です。エッチング時のプラズマエッチングプロファイルを最小限に抑えながら、均一なエッチング結果を得る機能を備えています。さらに、自動化されたコンピュータインターフェイスにより、ユーザーはデータをすばやく保存し、結果を確認し、プロセスパラメータを最適化することができます。その安全性の特徴はまた、有害物質のための人員と環境を保護します。