中古 LAM RESEARCH 839-101612-885 #293751480 を販売中

LAM RESEARCH 839-101612-885は、半導体加工用に設計された高度なエッチャー/アッシャー装置です。この装置は、半導体ウェーハをエッチングし、洗浄することで、複雑な微細構造やパターンを作成することにより、集積回路の生産において重要な役割を果たします。839-101612-885は、精密なプロセス制御、高度なプラズマ洗浄機能、および半導体業界の厳しい要件を満たすための優れた信頼性を提供する最先端のツールです。LAM RESEARCH 839-101612-885は、高品質のエッチングとアッシングプロセスのための最先端のプラズマ技術を組み込んだ洗練された設計を特徴としています。このシステムには、高度なRFプラズマ源、ガス供給システム、およびプロセスの均一性、再現性、およびスループットを最適化するチャンバー設計が装備されています。小型ウェーハから大型300mmウェーハまで幅広いウエハサイズに対応できるため、さまざまな半導体製造ニーズに対応する汎用性の高いソリューションです。839-101612-885の主な特徴の1つは、高度なプロセス制御機能であり、ユーザーはガス流量、圧力、温度、RF電力レベルなどの主要パラメータを正確に調整および監視できます。このレベルの制御により、ユーザーはウェーハ表面全体で正確なエッチング速度、選択性、均一性を達成し、高品質で再現性のあるプロセス結果を得ることができます。また、リアルタイムの監視およびデータロギング機能を備えているため、オペレータはプロセスのパフォーマンスを追跡し、最適なプロセス結果を得るために即座に調整することができます。LAM RESEARCH 839-101612-885は、エッチング機能に加えて、半導体ウェーハからフォトレジストなどの有機汚染物質を除去するための高度なアッシング機能も備えています。この機械は、プラズマ化学と温度制御の組み合わせを使用して、基板への損傷を最小限に抑えながら、徹底的かつ効率的なアッシングプロセスを保証します。この機能は、ウェーハ表面から残留物や汚染物を除去するために重要であり、その後の製造段階でクリーンで欠陥のない処理ステップを可能にします。839-101612-885のチャンバー設計は、最適なガス流量とプラズマ均一性を考慮して設計されており、ウェーハ表面全体にわたって一貫したプロセス結果を保証します。このツールは、迅速なポンプダウンと安定したプロセス条件のための堅牢な真空アセットと、幅広い処理温度をサポートするための正確な温度制御を備えています。また、高度なエンドポイント検出機能を備えており、正確なプロセス制御と再現性のための正確なプロセスのタイミングとエンドポイントの決定を保証します。全体として、LAM RESEARCH 839-101612-885は最先端のエッチャー/アッシャーモデルであり、高度なプラズマ処理能力、精密なプロセス制御、および半導体製造アプリケーションの優れた信頼性を提供します。汎用性の高い設計、高度な機能、堅牢な性能を備えたこのツールは、半導体製造設備の幅広いエッチングおよびアッシングプロセスに適しています。この装置の革新的な技術と高度な機能は、最先端の半導体デバイスの生産において、高品質で信頼性の高い処理結果を達成するために不可欠なツールです。