中古 LAM RESEARCH 590 #9027423 を販売中
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ID: 9027423
ウェーハサイズ: 6"
Oxide etcher, 6"
Fully automated microprocessor control
High-throughput vacuum loadlocked
Programmable, variable electrode spacing
End point detection
Cassette to cassete
Can accommodate 3" to 6" wafers
(5) Gas channels max
RF power: 1,250 W @ 13.56 MHz
208 VAC, 3 phase, 60 Hz.
LAM RESEARCH 590は、半導体デバイス製造に使用されるエッチャー/アッシャー装置です。直径300mmまでのウエハ加工が可能です。590はデュアルキャビティ「UniClave」設計を採用しており、同時に処理できるウェーハ数を2倍にすることで生産性を向上させます。また、分散型加熱ユニット、高度なチャンバー形状、高効率ポンプ設計により、優れた熱性能と低蒸着率を実現しています。さらに、LAM RESEARCH 590では、エッチングパターンや厚さをプロセスサイクルで正確に制御できる電気的な蒸着(epd)技術を採用しています。高度な機能により、高度なテクノロジーノードやアプリケーションを処理するのに理想的なマシンです。このツールは自動ロードおよびアンロード機能を備えており、シングルウェーハとマルチウェーハの両方の構成でロードすることができます。590には、高度なウエハマッピング資産も組み込まれており、正確なプロセス制御が可能です。真空レベルのモニターは、基板の表面への潜在的な損傷のオペレータに警告するように構成されています。さらに、LAM RESEARCH 590にはデュアルインラインプログラミングと診断機能が搭載されており、迅速かつ正確なプロセスサイクルのセットアップと調整が可能です。590エッチャーには、ブランケットとラインエンドの両方のプロセスのための統合された高性能GaAsエッチャーが装備されており、デバイスの表面への損傷を最小限に抑えます。最後に、LAM RESEARCH 590 Etcher/Asherモデルは、熱応力を低減し、全体的な歩留まりを高めるのに役立ちます。これにより、高度なテクノロジーノードやアプリケーションに最適な候補となります。また、高精度で高品質なエッチングを高いスループットで提供する堅牢なソリューションを提供し、半導体製造業界で競争力を維持するために必要な精度と生産性をユーザーに提供します。
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