中古 LAM RESEARCH 490 #9262879 を販売中

LAM RESEARCH 490は、半導体製造業における幅広い成膜およびエッチング工程向けに設計された中真空エッチャー/アッシャーです。エッチャー/アッシャーは、プロセスパラメータを正確に制御できる複数の高圧低温ガス源を利用しています。490は精密なガス配達、精密な圧力および温度調整および源の力の精密な制御を特色にします。LAM RESEARCH 490は、FEP （Fluorinated Ethylene Propylene）、 CF4 （Carbon Tetrafluoride）、 CHF3 （Chlorotrifluoromethane）、 Ar （Argon）、および他のガスを含むさまざまな異なったガスと使用することができます。490は、真空ポンプチャンバー、および2ビームイオンビームチャンバーを含む2段階の真空装置を備えています。真空ポンプチャンバーには10mT究極の真空レベルがあり、この真空レベルを維持するためにMechanicalTurbo-Molecularポンプが装備されています。2ビームイオンビームチャンバーには拡散ポンプがあり、サンプルに安定した均一なイオン分布を提供します。イオンビームチャンバーには、最大50keVのイオンを生成することができる高エネルギーイオン源も含まれています。LAM RESEARCH 490には、カスタム設計されたガス管理システム（GMS）もあり、真空プロセスチャンバー内のガス組成と流量を正確に制御できます。GMSは、低圧から大気圧まで、幅広いプロセスパラメータを可能にします。また、GMSには、ガス流量に依存しない電源の直接制御を可能にするPower Control Interface （PCI）と呼ばれる独自の機能も含まれています。490は、シリコン、石英、セラミックなど、さまざまな基板との使用に適しています。また、様々なサンプルサイズや形状に対応することができます。LAM RESEARCH 490は、低から高まで幅広いプロセス流量を提供しています。結論として、490は、2段階の真空ユニット、カスタム設計されたガス管理機、およびパワーコントロールインターフェイスを使用して、プロセスパラメータを正確に制御する中真空エッチャー/アッシャーです。幅広い基板加工が可能で、幅広いプロセス流量を提供します。