中古 LAM RESEARCH 490 / 590 #9077769 を販売中

ID: 9077769
Etcher Main Chamber: Chamber Bottom chamber and exhaust ring Lower electrode assembly with focus ring style electrode (Boxed separately) Vacuums Rotary O-rings Seals Pneumatic tubing and fittings Pneumatic cylinders Upper electrode is process dependent and not supplied Load Locks: Vacuums Rotary O-rings Seals Pneumatic tubing and fittings Pneumatic cylinders Wafer arms and wafer guides are size dependent and not supplied Machine Mainframe: Pneumatic tubing Connectors and fittings Cables re-bundled and ty-wrapped Frame Top panels Front and side panels Elevators: (Packed separately) Top plastic dust covers not supplied Baratron head not supplied Gap Drive head and Automatch: (Packed separately) Front display panel and operator interface Electronics drawer (Packed separately) Factory manuals are included Complete frame RF Power supply is not supplied nor are any external cables, gas lines, throttle valve, or vacuum fittings.
LAM RESEARCH 490/590は、各種基材に最適なエッチャー/アッシャー装置です。多用途に設計されており、反応性イオンエッチングの使用をサポートし、アッシング技術に抵抗します。このシステムは、完全にコンピュータ制御されたエッチングチャンバーを備えており、エッチング処理の正確な制御と再現性を可能にします。エッチング室の容積は40リットルで、真空レベルは1x10-5 torrまで達することができます。デュアル周波数RF電源とセラミックターボ分子ポンプを内蔵しています。このチャンバーは、最大8インチウエハを可能にするように構成可能な標準12 「x12」基板サポートを備えています。また、プロセス監視ウィンドウを備えており、リアルタイムでエッチングプロセスを監視できます。リアクティブイオンエッチング(RIE)は、シリコン、ポリイミド、ポリカーボシラン、さらには金属合金などの材料からなる基板のエッチングを可能にする、このユニットの重要な機能です。それは鋭いエッジで複雑なパターンの形成を可能にします。また、肯定的な抵抗と否定的な抵抗の両方で実行することができます。また、ガス化学蒸着(CVD)機能も備えています。これには、パルスモードCVD、デュアル周波数CVD、およびSiO2、 SiN、およびAl2O3などの材料をウェーハ上に堆積するために使用できるデュアルパワーCVDが含まれます。490/590エッチャー/アッシャーツールは、さまざまな基板を処理するさまざまな機能と機能を提供する強力なエッチングツールです。ユーザーフレンドリーなインターフェイス、柔軟な構成、統合されたRFソースを備えており、エッチングプロセスを正確に制御できます。生産時間とコストを削減しながら、高品質のエッチング結果を安全かつ確実に生成することができます。
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