中古 LAM RESEARCH 4500 #9137678 を販売中

LAM RESEARCH 4500は、熱および非熱エッチング工程向けに設計された高性能エッチャー/アッシャーです。特許取得済みのデュアルモノポンプ（DMP）技術により、ガリウムヒ素（GaAs）などの要求の厳しい材料の低圧ドライエッチングを可能にします。4500は600mm X 450mm X 400mmのチャンバー寸法を持ち、正確な局所エッチングのためにシャッターを堅牢に配置する空気式リニアシャッター位置決めシステムを備えています。また、最大150mmのウェハサイズに対応できる2つの手動アタッチポイントを備えたセルフアライニングロボットアームを備えており、正確かつ再現性の高いエッチングが可能です。LAM RESEARCH 4500は、信頼性と再現性の高いエッチングを提供するために設計されています。独自のデュアルモノポンプ（DMP）技術により、複雑なエッチングプロファイルのMonova （EiM）とReactive Ion Etching （RIE）の同時エッチングを1工程で可能にします。これにより、より低い圧力でより高いエッチング率を達成することができ、材料の消費量が少なくなり、処理時間が改善されます。4500はまた材料の消費を最小にし、プロセス再現性の損失を最小にするために源の温度の精密な制御を可能にする統合された源のヒーターのコントローラーが装備されています。LAM RESEARCH 4500は、DMPに加えて、高密度プラズマ（HDP）やエンドポイント真空（EPV）などの追加技術を備え、エッチング結果を改善します。HDPは、チャンバーからより多くのイオンを抽出するために非常に小さなサイズの高イオン化プラズマを生成し、エッチング率が高く均一性が向上します。一方、EPVはエッチングチャンバーを所望の真空圧力に急速にポンプで送り込むことで、基板表面の凹凸エッチングを低減します。4500は、直感的なポイントアンドクリックユーザーインターフェイスで安全で効率的な操作を実現するように設計されています。このシステムは、主にロジック、メモリ、RF（無線周波数）コンポーネントなどの複雑なマイクロエレクトロニクスデバイスの製造に使用されます。ヒ素ガリウム（GaAs）、シリコン（Si）、シリコンゲルマニウム（SiGe）、絶縁体シリコン（SOI）など、さまざまな種類の材料に対して信頼性が高く、再現性の高いエッチング処理を提供します。