中古 LAM RESEARCH 4400 #9311438 を販売中

LAM RESEARCH 4400 Asherは、半導体ウェーハ上にエッチングおよび堆積層および構造を生成するために設計されたプラズマ処理ツールです。このツールは、誘導的に結合されたマルチRFプラズマ源と自動大量flow™ガス規制装置を使用して、正確なガス分配とシームレスなプロセス制御を可能にします。アッシャーは、さまざまなガスやレシピを使用することができ、幅広いカスタマイズと実験を可能にします。さらに、4400は、完全な監視とリアルタイムのプロセス制御のための堅牢で非接触のIRガスモニタリングシステムを備えています。LAM RESEARCH 4400 Asherにはx3xおよびx4xプロセスキットが装備されているため、電源増幅用のエッチング沈殿物とアッシャーレシピを取り出すことができます。反復可能で高精度な基板処理用の加熱ロードロックチャンバー、広範囲のウェーハ処理用の大型プロセスチャンバー、迅速なターンアラウンドプロセス用の小型チャンバーを備えています。4400は、精密エッチング、信頼性の高いアッシング、および薄膜層の精密な蒸着用に設計されています。Kerfless Plasma™とエッチング補償を使用して、エッチングと入金精度を制御します。このツールは、イオン爆撃の流動レベルを制御するスタンドオフユニットと蒸着モニターを内蔵しています。また、エッチングチャンバーの壁にポリマーの蓄積を排除する画期的なコーティングプロセスも含まれています。LAM RESEARCH 4400にガスの構成、圧力、RF力、RFの前方力、力、基質の温度、質量流れ、部分的な部屋圧力、バイアス電圧、基質のバイアス、等のような多くのプロセスパラメータがあります。これらのパラメーターは、最適なプロセス結果を得るために微調整することができます。4400 Asherには、独自のオプションの高解像度エッチモニタマシン（HRES）も装備されています。最高のエッチング速度と精度で最高のレイヤー精度を実現します。LAM RESEARCH 4400 Asherは、perfomanceとyieldsを最大化し、今日の要求の厳しいsiwafer処理の厳しい基準を満たすように設計されています。アッシャーは、最大加工面積406mmの大小のウエハ径に対応できます。繰り返し可能で精密なプロセス制御により、スムーズで信頼性の高いクリーンな結果が得られます。