中古 LAM RESEARCH 2300 Versys #9195904 を販売中

LAM RESEARCH 2300 Versys
ID: 9195904
Reactive Ion Etch (RIE) system Process: Metal etch Integrated Circuit (IC) Wires and electrical connections Metal Hard Mask (MHM) Typical mask Flexible platform Controlling repeatable profiles Critical Dimensions (CD) BEOL Metal etching MHM Increase selectivity of low-dielectric insulating films With BEOL integration Controlling trench dimensions and roughness bottom line Interfere with productivity and compensating power Metal Hard Mask (MHM) (TiN) High density aluminum line Aluminum pad.
LAM RESEARCH 2300 Versysは、ハイスループットDRIE (Deep Reactive Ion Etch)およびICP (Inductively Coupled Plasma)エッチング用に設計された高度なエッチャー/アッシャーです。このエッチャーは誘電チャンバと高度なフィードフォワード制御システムを備えており、ハイスループット生産環境に最適です。2300 Versysのフィードフォワード制御システムは、エッチングプロセスが非常に均一であることを保証し、スムーズで反復可能な生産プロセスを可能にします。また、重要なエッチングプロセスパラメータを監視する高解像度センサーが付属しているため、プロセス全体を細かく調整できます。LAM RESEARCH 2300 Versysは、誘電材料の積極的なエッチングに最適な高エッチング率と滑らかなサイドウォールプロファイルを実現できるため、DRIEアプリケーションに最適です。エッチング環境内での均一なガス流量が特徴で、エッチング速度を正確に制御し、再現性のある結果を得ることができます。2300 Versysは、ICPエッチング用のソースを含む高出力の無線周波数(RF)ソース・オプションも提供しています。これにより、DRIEとICPの両方のプロセスサイクルを順番に実行でき、プロセスの柔軟性と効率が向上します。さらに、LAM RESEARCH 2300 Versysは、大規模な自動生産環境に簡単に組み込むことができ、大規模なエッチング用途にも対応できます。全体として、2300 Versysは、ICPおよびDRIEアプリケーション用に設計された高度なハイスループットエッチャー/アッシャーです。このエッチャーは、高度なフィードフォワード制御システム、均一なガス流量、および高出力RFソース・オプションにより、精密かつ再現性のあるエッチング・プロセスを提供します。さらに、大規模な自動生産環境に容易に統合できるため、ハイスループットエッチング用途に最適です。
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