中古 LAM RESEARCH 2300 Versys #9101595 を販売中
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販売された
ID: 9101595
ウェーハサイズ: 12"
ヴィンテージ: 2008
Polysilicon etcher, 12"
Conducting layer dry etching system
23PM, MW 1PM System
(4) Chambers
2300 Transport module
(3) 2300 Kiyo45 etch process module
2300 Micro wave strip process module
(3) LSR Endpoint
Gas system:
Gas interface box, 3PM (IGS GB)
(3) 9 Gas configuration
(3) Additional gas line (AGS)/total 16 lines
(3) Two heated gas line
US option:
System UPS circuity
Seismic bracket (TM/PM/MWS)
System weight dispersion plate (for TM/PM/RPM)
ELB with ring lug - Qty 1
(3) Keyence BCR carrier ID
User interface: side monitor UI
(25) Slot input buffer station
Japanese safety label
Intermitted Buzzer
ULPA filter interlock
Service step for PM
(3) FOUP Config.
Additional gas line for MWS
(3) Label for gas name and flow direction
(3) Duct manifold exhaust PM to GB
Chamber A:
Chamber type:MWS
Gas config. (sccm)=MFC full scale
N2(1000), O2(5000), H2/N2(2000)
MW 2.45GHz, max 3000W
Stage heater max 300°C
Chamber B:
Chamber type:Kiyo45
Gas config. (sccm)=MFC full scale
SiCL4(100), CF4(300), CL2(200), NF3(500),
HBr(500), NF3(50), CH2F2(100), CHF3(300),
SF6(50), N2(100), O2(30), O2(500),
Ar(500), He(500)
Source 13.56MHz, max 1500W
Bias 13.56MHz, max 1500W
Stage heater max 70°C
Chamber C:
Chamber type:Kiyo45
Gas config. (sccm)=MFC full scale
SiCL4(100), CF4(300), CL2(200), NF3(500),
HBr(500), NF3(50), CH2F2(100), CHF3(300),
SF6(50), N2(100), O2(30), O2(500),
Ar(500), He(500)
Source 13.56MHz, max 1500W
Bias 13.56MHz, max 1500W
Stage heater max 70°C
Chamber D:
Chamber type:Kiyo45
Gas config. (sccm)=MFC full scale
SiCL4(100), CF4(300), CL2(200), NF3(500),
HBr(500), NF3(50), CH2F2(100), CHF3(300),
SF6(50), N2(100), O2(30), O2(500),
Ar(500), He(500)
Source 13.56MHz, max 1500W
Bias 13.56MHz, max 1500W
Stage heater max 70°C
Damaged/missing parts:
PM1 MW Generator, ASTEX FI20160-3
PM3 TMP Controller , Edwards SCU-1500
PM4 TMP Controller, Edwards SCU-1500
2008 vintage.
LAM RESEARCH 2300 Versys Kiyo 45は、今日の半導体製造プロセスにおける高度な自動化とプロセス性能を実現するために設計されたエッチング/アッシュ装置です。LAM RESEARCH 2300 VERSYS KIYO45ツールは、シリコンベース材料のプラズマエッチングと反応イオンエッチング(灰)のための信頼性が高く、強力で効率的なソリューションを提供します。これらのツールの自動化機能が向上しているため、標準的な実行時間が2分未満のウェーハのハイスループットバッチ処理に最適です。2300 Versys Kiyo 45 etch/ashシステムは、ダイオードポンピングレーザーを使用して、エッチングおよび灰プロセスに非常に制御された反応イオン濃度を提供します。高出力レーザーは、低水準の水素ハロゲン化物またはヘリウム酸素(HEOM)ガスを生成し、化学結合を破壊し、ウェハから材料層を高精度に除去することができます。エッチング/灰プロセスは、レーザーの温度、圧力、試薬濃度、およびパワーレベルを制御することによって行われます。これにより、毎回高精度で反復可能な結果が得られます。2300 VERSYS KIYO45には、エッチングチャンバー、アッシュチャンバー、パージチャンバーの3つのメインチャンバーがあります。エッチングチャンバーはプラズマソースを使用して反応イオンを生成し、灰チャンバーは真空技術を使用して薄い受動材料をウェーハに堆積させます。両チャンバは独立した圧力制御および温度プロファイリングシステムを使用して、再現性のある信頼性の高い結果を保証します。パージチャンバーは、プロセスサイクル間のチャンバをすばやくクリーニングするように設計されており、バッチ処理時間を短縮できます。LAM RESEARCH 2300 Versys Kiyo 45には、機械の健康状態を評価し、プロセス開始前にエラーを修復するセルフテストユニットなどの高度な安全システムも装備されています。機械の保護エンクロージャはまた火およびガス検出システム、帯電防止保護、空気温度の監視および緊急時の操業停止システムを特色にします。LAM RESEARCH 2300 VERSYS KIYO45は、エッチング/アッシュプロセスに効率的で信頼性の高いソリューションを提供し、半導体デバイスのハイスループット製造を可能にします。
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