中古 LAM RESEARCH 2300 Exelan #9298287 を販売中

ID: 9298287
ウェーハサイズ: 12"
Dielectric etcher, 12" Process: KIYO_EXEL_CU Chambers V2 Mainframe (3) Load ports Chemicals / Gases: Chamber positions 1, 2, 3 and 4: C4F8, CF4, Ar, H2, CHF3, CH2F2, C4F6, 30%O2He Does not include Hard Disk Drive (HDD) Power: 208 AC, 3 Phase, 400 A.
LAM RESEARCH 2300 Exelanは、プラズマまたはガスエッチングを使用して半導体ウェーハ上の有機材料をパターン化し、処理するエッチング/吸引システムです。このシステムは、特に高度なメモリアプリケーションのために、集積回路の製造に使用されます。マルチガンのソース構成が特徴で、コンフォーマルエッチングに最適です。2300エクセランは8つのチャンバー構成で設計されました。これにより、高品質のICに必要な非常に均一なエッチング層を提供することができます。また、より高度なエッチング機能を備えており、サブミクロンレベルでプラズマを生成することができます。このエッチング機能は、高度なメモリアプリケーションの製造に不可欠です。さらに、LAM RESEARCH 2300 Exelanは、より高いスループット能力を備えており、1時間あたり最大80個のウェーハを処理できます。2300 Exelanには、高度な低周波プラズマ(LFP)ジェネレータが搭載されており、幅広い深さの制御エッチングを行うことができます。また、全圧チューニングや温度制御など、精密なエッチングを実現する革新的な制御プロセスも誇っています。さらに、LAM RESEARCH 2300 Exelanは、さまざまな基板のソース圧力を調整する柔軟性を提供する自動ソース圧力制御システムで設計されています。2300 Exelanには、プロセスパラメータを完全に監視し、エッチング処理を制御するためのオープンフィードバックループをユーザーに提供する一連のセンサーも含まれています。高度な設計の一環として、LAM RESEARCH 2300 Exelanには、各サイクルの最適化に役立つ高度なアルゴリズムも含まれています。これにより、完成品の均一性と精度を維持しながらエッチング率を向上させることができます。全体的に2300 Exelanは、繊細な基板のコンフォーマルエッチングに最適です。高いスループット、高度な技術、柔軟性により、高度なメモリアプリケーションの厳しい要件に適しています。LAM RESEARCH 2300 Exelanは、マルチガン構成、正確な制御、および卓越した精度により、エッチング/吸引ニーズに最適なオプションです。
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