中古 HITACHI M 712 #9242176 を販売中

HITACHI M 712は、マイクロエレクトロニクスデバイス製造用に設計されたエッチャー/アショアです。これは、金属、非金属、酸化物、ポリマーなど、あらゆる材料のエッチングに使用できる高度なエッチングおよびアッシング（ドライエッチング）技術です。この装置は、プラズマベースのエッチングとアッシングを組み合わせたプロセスであり、低温のケミカルドライエッチング（LTCDE）と気化した元素が基板と反応するアッシングチャンバーを備えています。ガラス、石英、ポリイミドなど様々な基板の加工が可能です。また、高出力発電機、ターボ分子ポンピングユニット、低温ケミカルドライエッチングチャンバーも内蔵しています。M 712エッチングとアッシングは、エッチング条件とアッシング条件を個別に制御する2段階のプロセスです。エッチング工程では、基板上に高温アルゴンプラズマの流れを加えて基板表面をエッチングします。アッシング工程はエッチング工程に従い、プラズマは中性の水素アッシング剤に置き換えられます。アッシング剤の温度は、最適なエッチングとアッシングの結果を保証するために調整可能です。このマシンには、リモートターミナルを備えたコントローラも含まれており、目的のエッチングとアッシング結果のパラメータを微調整できます。HITACHI M 712は、最大エッチング深度が5000ナノメートル（5ミクロン）、最小エッチング深度が500ナノメートル（0。5ミクロン）、最大エッチング速度が1ミクロン/分で、精密なエッチングとアッシングが可能です。このツールは、45分間で最大200ウェーハのスループットも可能です。さらに、このアセットには、精度と再現性を確保するための高度なプロセス制御ソフトウェアが含まれています。エッチングやアッシングに加えて、酸化熱膜蒸着モデル、レジストストリップ、エッチングストップ、裏面洗浄などのアドオンモジュールも利用できます。また、基板の両面を同時にエッチングする機能も備えています。これらのアドオンモジュールは、高いプロセス再現性と柔軟性を提供します。全体として、HITACHI M7 12は、マイクロエレクトロニクスデバイス製造用に設計された高度なエッチングおよびアッシングシステムです。高度なプロセス制御ソフトウェアとアドオンモジュールにより、さまざまな基板の精密かつ再現性の高い処理が可能です。さらに、低温エッチングおよびアッシング処理により、エッチングの深さ、レート、スループプットを大幅に制御でき、汎用性と効率的なエッチングおよびアッシングソリューションを提供します。