中古 HITACHI M-602 #9364269 を販売中
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HITACHI M-602は、ウェーハ上でエッチングやアッシングを行うために設計された、広く使用されているエッチングまたはアッシング装置です。半導体ウェーハの製造に使用されるツールであり、ウェーハ表面から望ましくない材料の層をエッチングするために使用されます。M-602は、単結晶シリコンや絶縁体シリコン（SOI）ウェハなどのウェハの製造に使用できます。HITACHI M-602は、高速アッシング処理が可能なプラズマ強化化学蒸着（PECVD）チャンバーを備えています。高効率で長寿命なプラズマ放電を実現する無線周波数発生器を搭載しています。PECVDチャンバーは、エッチングとアッシングプロセスを容易にするために、変更された雰囲気を作成するために最適化されています。さらに、PECVDチャンバーは、プラズマ処理の進行を明確に観察できる石英窓を備えています。M-602には、PECVDチャンバから分析システムまたはハンドリングトレイにウェーハを転送できるウェーハ転送装置もあります。ウェハトランスファーユニットは、ウェハトランスファーユニットを高精度に配置するために設計されており、ユーザーはウェハを正確にエッチングしてアッシングすることができます。また、HITACHI M-602には、ウエハ裏面の自動洗浄プロセスを提供する自動裏面処理機が搭載されています。M-602は、さまざまな種類のウェーハ処理の特定の要件を満たすように調整された複数の動作モードを提供します。また、ユーザーがエッチング/アッシングプロセスのパラメータを調整して保存できる内蔵のオペレーティングツール（OSI）も付属しています。また、HITACHI M-602には、オフラインモニタリングアセット、温度・圧力センサー、その他の各種安全・モニタリング機能など、さまざまな診断ツールが用意されています。全体として、M-602はウェーハ上でエッチングおよびアッシング処理を実行するように特別に設計された高度なエッチング/アッシング装置です。それは高精度のエッチングとアッシングのプロセスを促進することを可能にする機能と機能の多くを持っています。HITACHI M-602は使いやすく、さまざまな種類のウェーハやアプリケーションの要求に合わせてカスタマイズすることができます。さらに、M-602は信頼性と効率的な結果を提供するように設計されています。
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